申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-01-19

公开（公告）号：CN117423730A

主分类号：H01L29/165

分类号：H01L29/165;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.06#实质审查的生效;2024.01.19#公开

摘要：本发明提供一种具有分裂栅的SJSiCVDMOS及制备方法，该SJSiCVDMOS包括：硅层和分裂栅极；所述硅层包括：第一体区，N+区、P+区和第一N柱；所述硅层位于碳化硅层与源极、栅极氧化层之间，并与源极和栅极氧化层邻接；所述分裂栅极位于栅极侧方并被栅极氧化层包覆。本发明在碳化硅材料制成的N柱上方沉积硅材料，让沟道制备在硅材料中，由于硅的沟道迁移率比碳化硅高，所以沟道在硅材料中具有较高的沟道迁移率，并且SJSiCVDMOS器件还同时拥有碳化硅材料带来的高击穿电压，设置分裂栅结构能够减小栅极和漏极的相对面积，减小了栅漏电容，从而提高SJSiCMOS的开关频率。

主权项：1.一种具有分裂栅的SJSiCVDMOS，其特征在于，包括：硅层和分裂栅极；所述硅层包括：第一体区，N+区、P+区和第一N柱；所述硅层位于碳化硅层与源极、栅极氧化层之间，并与源极和栅极氧化层邻接；所述分裂栅极位于栅极侧方并被栅极氧化层包覆。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 一种具有分裂栅的SJ SiC VDMOS及制备方法

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