申请/专利权人：恩智浦美国有限公司

申请日：2023-06-07

公开（公告）日：2023-12-08

公开（公告）号：CN117198874A

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L29/423;H01L29/417

优先权：["20220607 US 17/805,774"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.12.08#公开

摘要：本公开涉及单晶基极结构上的基极硅化物。一种具有发射极、基极和集电极的晶体管。所述基极包括单晶基极层。牺牲材料形成于所述单晶基极层上。去除所述牺牲材料以曝露所述单晶基极层的一部分。基极硅化物包括形成于所述基极单晶基极层的由于所述去除所述牺牲材料而曝露的所述部分上的部分。

主权项：1.一种用于形成晶体管的方法，其特征在于，所述方法包括：形成晶体管的集电极；形成所述晶体管的基极，所述基极包括单晶基极层；形成所述晶体管的发射极；形成与所述单晶基极层接触的牺牲材料；去除所述牺牲材料的至少一部分；形成基极硅化物，所述形成所述基极硅化物包括：在所述单晶基极层的由于所述去除而曝露的部分上形成所述基极硅化物的至少一部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 恩智浦美国有限公司 单晶基极结构上的基极硅化物

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