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【发明公布】一种P-型EDTA-N材料的制备方法及其在反式无机钙钛矿太阳电池上的应用_南开大学_202311161580.8 

申请/专利权人:南开大学

申请日:2023-09-11

公开(公告)日:2023-12-19

公开(公告)号:CN117255596A

主分类号:H10K71/00

分类号:H10K71/00;H10K71/40;H10K30/40;H10K30/50;H10K30/86

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.01.05#实质审查的生效;2023.12.19#公开

摘要:一种P‑型EDTA‑N材料的制备方法及其在反式无机钙钛矿太阳电池上的应用。将常见的n型的EDTA改性为P‑型的EDTA‑N材料,作为NiOx修饰层应用在反式无机钙钛矿太阳电池中,形成了由P‑到P+的场增强结构,解决了反式结构无机钙钛矿太阳电池中NiOx与钙钛矿光吸收材料之间能级位置不匹配以及电子和空穴抽取不平衡的问题。其中EDTA‑N层制备方法如下:采用离子交换法制得EDTA‑N溶液,将制备得到的EDTA‑N溶液旋涂在NiOx薄膜上作为NiOx和钙钛矿的PI界面中间层。本发明EDTA‑N材料的半导体特性为P‑型,制备工艺简单,用在NiOx和钙钛矿之间,可以改善无机钙钛矿与NiOx之间价带能级位置不匹配问题,增强对空穴的抽取能力,实现载流子的抽取平衡,提高反式无机钙钛矿太阳电池的开路电压和光电转换效率。

主权项:1.一种P-型EDTA-N材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1用天平称取适量EDTA粉末,分散于适量乙醇中,并于空气环境下40-80℃加热搅拌1-2h;2在步骤1所得分散液中加入适量的甲胺液体并继续搅拌1-2h,即可得到P-型EDTA-N;3在NiOx薄膜上制备P-型EDTA-N修饰层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南开大学 一种P-型EDTA-N材料的制备方法及其在反式无机钙钛矿太阳电池上的应用

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