申请/专利权人：广东华升纳米科技股份有限公司

申请日：2023-09-26

公开（公告）日：2023-12-19

公开（公告）号：CN117248186A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/02;C23C14/32;C23C14/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.05#实质审查的生效;2023.12.19#公开

摘要：本申请涉及一种TiCN涂层及其制备方法。TiCN涂层的制备方法包括在基体上沉积过渡层；在含氩气和氮气的气氛下，对磁控Ti靶和磁控TiC靶进行高能脉冲磁控溅射镀膜，以在过渡层上沉积TixCyNz功能层；对磁控Ti靶和磁控TiC靶进行高能脉冲磁控溅射镀膜包括：同步开启磁控Ti靶和磁控TiC靶，调节磁控Ti靶的功率为第一预设功率，调节磁控TiC靶的功率为第二预设功率；其中，x+y+z=1，0.45≤x≤0.55，0.45≤y+z≤0.55。上述TiCN涂层的制备方法，能够通过分别调节第一预设功率与第二预设功率的大小，而调节TixCyNz功能层中各元素的成分，进而调节TixCyNz功能层的硬度和摩擦系数等性能，相比于制定不同成分的TiC靶材，制程更加简单，因此使TixCyNz功能层的硬度或摩擦系数更易调节。

主权项：1.一种TiCN涂层的制备方法，其特征在于，包括：在基体上沉积过渡层；在含氩气和氮气的气氛下，对磁控Ti靶和磁控TiC靶进行高能脉冲磁控溅射镀膜，以在所述过渡层上沉积TixCyNz功能层；所述对磁控Ti靶和磁控TiC靶进行高能脉冲磁控溅射镀膜包括：同步开启所述磁控Ti靶和所述磁控TiC靶，调节所述磁控Ti靶的功率为第一预设功率，调节所述磁控TiC靶的功率为第二预设功率；其中，x+y+z=1，0.45≤x≤0.55，0.45≤y+z≤0.55。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东华升纳米科技股份有限公司 TiCN涂层及其制备方法

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