申请/专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司

申请日：2023-09-22

公开（公告）日：2024-01-09

公开（公告）号：CN116970446B

主分类号：C11D7/08

分类号：C11D7/08;C11D7/06;C11D7/04;C11D7/10;C11D7/60

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.09#授权;2023.11.17#实质审查的生效;2023.10.31#公开

摘要：本发明涉及覆铜基板技术领域，具体涉及碳化硅单晶材料AMB覆铜的前处理溶液、产品及应用，前处理溶液包括第一溶液、第二溶液、第三溶液；第一溶液为盐酸、硫酸、硝酸的混合水溶液；第二溶液为氨水、氢氧化钠、双氧水的混合水溶液；第三溶液为氢氟酸、氟盐、盐酸的混合水溶液；活化碳化硅单晶产品的制备方法为使用第一溶液、第二溶液、第三溶液依次洗涤碳化硅单晶；得到的活化碳化硅单晶产品存放于纯乙醇中。本发明在AMB覆铜前使用三种溶液依次对碳化硅单晶材料进行洗涤，得到的产品表面活性强、焊接强度高、焊接孔洞率低；处理过程不引进新的加工缺陷；对未经研磨及研磨后的碳化硅单晶材料均可进行处理，普适性强。

主权项：1.碳化硅单晶材料AMB覆铜的前处理溶液，其特征在于，包括第一溶液、第二溶液、第三溶液；第一溶液为盐酸、硫酸、硝酸的混合水溶液；第二溶液为氨水、氢氧化钠、双氧水的混合水溶液；第三溶液为氢氟酸、氟盐、盐酸的混合水溶液；第一溶液的配置比例为：HCl49.98-79.25gL，H2SO452.99-108.19gL，HNO328.14-57.96gL，余量为水；第二溶液的pH值为9-10，配置比例为：NH330.03-45.50gL，H2O249.95-77.7gL，余量为水和pH调节剂；第三溶液的配置比例为：HF55.54-90.25gL，HCl20.83-44.03gL，氟盐0.07-0.18gL，余量为水，氟盐包括氟化钙和或氟化钠；碳化硅单晶材料在AMB覆铜前需依次经过第一溶液、第二溶液、第三溶液处理。

全文数据：

权利要求：

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