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【发明公布】一种CdTe-钙钛矿叠层太阳电池组件及其制作方法_中国建材国际工程集团有限公司_202210792272.4 

申请/专利权人:中国建材国际工程集团有限公司

申请日:2022-07-05

公开(公告)日:2024-01-12

公开(公告)号:CN117393637A

主分类号:H01L31/18

分类号:H01L31/18;H01L31/0445;H01L31/0224;H01L31/0687;H01L31/0725;H01L31/05

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.01.30#实质审查的生效;2024.01.12#公开

摘要:本发明提供一种CdTe‑钙钛矿叠层太阳电池组件及其制作方法,本发明的CdTe‑钙钛矿叠层电池在划分电池单元时采用激光切割和打孔相配合的工艺进行电池单元划分,并利用填充穿孔实现单元间的组件化串联连接,所有受光面损失来自于激光划线或者打孔去除的部分,从而减少刻线和受光面“死区”宽度,使用激光工艺时也不需要苛刻的视觉抓取来控制“死区”宽度。

主权项:1.一种CdTe-钙钛矿叠层太阳电池组件的制作方法,其特征在于,所述制作方法至少包括:1提供一个带有透明底电极的透明衬底层,在所述透明底电极上溅射窗口层;在所述窗口层上沉积CdSCdSe缓冲层;在所述CdSCdSe缓冲层上沉积CdTe光吸收层,通过活化退火工序对所述CdTe光吸收层进行活化退火处理;2在所述CdTe光吸收层上沉积P型接触层,在所述P型接触层上沉积P型透明电极;3在所述P型透明电极上沉积N型隧穿层;4再在所述N型隧穿层型上依次沉积电子传输层、钙钛矿光吸收层、以及空穴传输层;5采用激光刻线工艺,刻断所述底电极、窗口层、CdSCdSe缓冲层、CdTe光吸收层、P型接触层、P型透明电极、N型隧穿层、电子传输层、钙钛矿光吸收层、以及空穴传输层,将整个膜层分割为多个电池单元;6涂覆光刻胶,经过衬底方向紫外光曝光显影,填充刻线;7在膜面上设计穿孔卷绕区域和背电极区域,在所述穿孔卷绕区域印刷绝缘胶图案,所述绝缘胶图案固化后在绝缘胶图案区域激光打孔,打穿所述底电极、窗口层、CdSCdSe缓冲层、CdTe光吸收层、P型接触层、P型透明电极、N型隧穿层、电子传输层、钙钛矿光吸收层、以及空穴传输层;8在所述绝缘胶图案的区域和背电极区域印刷低温固化导电浆料栅线;同一电池单元上所述绝缘胶图案区域和所述背电极区域印刷的导电浆料栅线相互绝缘,任一电池单元上所述绝缘胶图案区域的导电浆料栅线与其相邻电池单元的所述背电极区域的导电浆料栅线电气连接,固化后将多个电池单元形成串联结构;其中,所述绝缘胶图案区域的导电浆料栅线印刷宽度小于所述绝缘胶图案的印刷宽度,导电浆料还填充进所述激光打孔的孔洞,与底电极形成电气连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国建材国际工程集团有限公司 一种CdTe-钙钛矿叠层太阳电池组件及其制作方法

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