申请/专利权人：卡贝尼新材料科技(上海)有限公司

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2024-01-16

公开（公告）号：CN117403295A

主分类号：C25D11/04

分类号：C25D11/04;C25D11/16;C25D11/18;C25D7/00;B05D7/14

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.02#实质审查的生效;2024.01.16#公开

摘要：本发明提供一种半导体设备铝基部件表面涂层的精密再生方法，该方法包括以下步骤：步骤S1、去除产品表面膜层；步骤S2、制备阳极氧化膜层；步骤S3、制备钇化合物涂层步骤；S4、无尘清洗。本发明的精密再生方法能够有效去除产品表面膜层，同时进行再生，能够显著提高半导体领域设备涂层铝基部件的使用寿命，降低设备维护成本；并且工艺简单，易于实施，在半导体领域有较大应用空间。

主权项：1.一种半导体设备铝基部件表面涂层的精密再生方法，包含以下步骤：步骤S1、去除产品表面膜层：依次使用喷砂、脱模剂去除产品表面膜层；步骤S2、制备阳极氧化膜层：将步骤S1中去除表面膜层的产品进行除油、硬质阳极氧化、水预封闭，得到阳极氧化膜层；步骤S3、制备钇化合物涂层：在阳极氧化膜层表面喷涂涂层材料，形成钇化合物涂层；步骤S4、无尘清洗：对阳极氧化膜层和钇化合物涂层进行冲洗、超声震荡；所述喷砂的砂材包括180#白刚玉、220#白刚玉中的至少一种，所述喷砂的压力为3-5bar；所述脱膜剂为无损碱蚀脱模剂，包括氢氧化钠水溶液、DYB-P121中的至少一种。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 卡贝尼新材料科技(上海)有限公司 一种半导体设备铝基部件表面涂层的精密再生方法

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