申请/专利权人：广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请日：2022-07-14

公开（公告）日：2024-01-23

公开（公告）号：CN117438513A

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.09#实质审查的生效;2024.01.23#公开

摘要：本申请公开了一种UVB‑LED外延结构及其制备方法。所述外延结构包括沿指定方向依次生长的AlN层、应力调控层、N型AlGaN欧姆接触层、多量子阱有源区、P型电子阻挡层、P型空穴注入层和P型欧姆接触层。所述应力调控层由不同Al含量、不同厚度的第一AlxInyGa1‑x‑yN子层和第二AlxInyGa1‑x‑yN子层交叠生长组成，0＜x＜1，0≤y≤0.1，0＜1‑x‑y＜1。本申请通过在UVB‑LED外延结构的AlN层和N型AlGaN欧姆接触层之间设置应力调控层，并通过对应力调控层中的Al含量进行调制，可以缓解或消除因N型AlGaN欧姆接触层与AlN层的晶格常数差异大而导致的压应力大等问题，有效调控表面形貌，从而显著改善N型AlGaN层的生长质量，大幅提高UVB‑LED的发光效率和光输出功率。

主权项：1.一种UVB-LED外延结构，包括沿指定方向依次设置的AlN层、应力调控层、N型AlGaN欧姆接触层、多量子阱有源区、P型电子阻挡层、P型空穴注入层和P型欧姆接触层；其特征在于：所述应力调控层包括沿指定方向依次层叠的第一AlxInyGa1-x-yN子层和第二AlxInyGa1-x-yN子层，其中第一AlxInyGa1-x-yN子层的Al含量高于第二AlxInyGa1-x-yN子层，且第二AlxInyGa1-x-yN子层中的Al含量沿指定方向降低，0＜x＜1，0≤y≤0.1，0＜1-x-y＜1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 UVB-LED外延结构及其制备方法

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