申请/专利权人：德州仪器公司

申请日：2023-07-18

公开（公告）日：2024-02-02

公开（公告）号：CN117497559A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L21/762

优先权：["20220731 US 17/877,976"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.02.02#公开

摘要：一种电子器件100包括：半导体衬底102和半导体表面层106，该半导体衬底和该半导体表面层具有第一导电类型，该半导体表面层在半导体衬底上方并且具有顶表面；掩埋层104，该掩埋层具有相反的第二导电类型，处于半导体表面层与半导体衬底之间；电介质隔离层110，该电介质隔离层在半导体表面层上方延伸并且延伸到半导体表面层中；深沟槽结构120，该深沟槽结构穿过电介质隔离层延伸到半导体表面层中；以及硅化物阻挡层134，该硅化物阻挡层在深沟槽结构的顶表面上。

主权项：1.一种电子器件，包括：半导体衬底和半导体表面层，所述半导体衬底和所述半导体表面层具有第一导电类型，所述半导体表面层在所述半导体衬底上方并且具有顶表面；掩埋层，所述掩埋层具有相反的第二导电类型，处于所述半导体表面层与所述半导体衬底之间；电介质隔离层，所述电介质隔离层在所述半导体表面层上方延伸并且延伸到所述半导体表面层中；深沟槽结构，所述深沟槽结构穿过所述电介质隔离层延伸到所述半导体表面层中；以及硅化物阻挡层，所述硅化物阻挡层在所述深沟槽结构的顶表面上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 德州仪器公司 在STI工艺后保护深沟槽中的深沟槽多晶硅的LOCOS或SiBLK

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