申请/专利权人：成都瑞迪威科技有限公司

申请日：2020-08-19

公开（公告）日：2024-02-02

公开（公告）号：CN111987998B

主分类号：H03F1/26

分类号：H03F1/26;H03F1/42;H03F1/02;H03F1/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.02#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本申请属于射频集成电路领域，具体的说，是涉及一种基于变压器无源电压增益的噪声抵消低噪声放大器，其包括第一晶体管和第二晶体管，处于共栅结构工作状态的第一晶体管的源极依次通过变压器和电容器后，与处于共源结构工作状态的第二晶体管的栅极相连，变压器将输入信号与第二晶体管之间进行耦合并进行电压放大，电容器起到隔离直流，耦合信号的作用；本申请引入变压器耦合结构，提供了无源的电压放大功能，从而降低了反相放大器设计中对共源结构晶体管跨导和增益的要求，降低了电路设计难度，使噪声抵消结构的低噪声放大器可以应用在更高的频段，如毫米波频段。

主权项：1.一种噪声抵消低噪声放大器，其特征在于：包括第一晶体管（51）和第二晶体管（52），处于共栅结构工作状态的第一晶体管（51）的源极依次通过变压器（70）和电容器（31）后，与处于共源结构工作状态的第二晶体管（52）的栅极相连，变压器（70）将输入信号与第二晶体管（52）之间进行耦合并进行电压放大，电容器（31）起到隔离直流，耦合信号的作用；从而实现共源级晶体管的偏置；变压器（70）包括第一电感器（71）和第二电感器（72）叠加而成，电路的信号输入端口（11）与第一晶体管（51）的源级以及变压器（70）中第一电感器（71）的端口连接在一起；第一晶体管（51）的漏极连接到第一电源偏置（41）上，同时作为电路的信号正相输出端（12）；第二晶体管（52）的漏极连接到第二电源偏置（42）上，同时作为电路的信号反相输出端（13）；信号正相输出端（12）和信号反相输出端（13）共同成为本电路结构的差分输出端口。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都瑞迪威科技有限公司 一种噪声抵消低噪声放大器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD