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【发明授权】晶体静态电容抵消电路_中国电子科技集团公司第十三研究所_202010734479.7 

申请/专利权人:中国电子科技集团公司第十三研究所

申请日:2020-07-27

公开(公告)日:2024-02-02

公开(公告)号:CN111835286B

主分类号:H03B5/04

分类号:H03B5/04;H03B5/30

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.02.02#授权;2020.11.13#实质审查的生效;2020.10.27#公开

摘要:本发明适用于晶体振荡器技术领域,提供了一种晶体静态电容抵消电路,包括:隔直模块和静态电容抵消模块,其中所述静态电容抵消模块包括隔直单元;所述隔直模块适于与晶体的第一端连接,还与所述抵消模块连接,用于与晶体振荡器的晶体振荡芯片内部的其他电路进行直流隔离;所述静态电容抵消模块,用于增大振荡电路的负阻,其中,所述隔直单元适于与所述晶体的第二端连接,用于与所述晶体振荡芯片内部的其他电路进行直流隔离。本发明通过对静态电容抵消模块中的电阻和电容进行调试,可以增大晶体振荡芯片电路的负阻,使晶体振荡器维持稳定可靠的振荡。

主权项:1.一种晶体静态电容抵消电路,其特征在于,包括:隔直模块和静态电容抵消模块,其中所述静态电容抵消模块包括隔直单元;所述隔直模块适于与晶体的第一端连接,还与所述静态电容抵消模块连接,用于与晶体振荡器的晶体振荡芯片内部的其他电路进行直流隔离;所述静态电容抵消模块,用于增大振荡电路的负阻,其中,所述隔直单元适于与所述晶体的第二端连接,用于与所述晶体振荡芯片内部的其他电路进行直流隔离;所述隔直模块包括:第一电容;所述第一电容的第一端与所述晶体的第一端连接,所述第一电容的第二端与所述静态电容抵消模块连接;所述静态电容抵消模块包括:第一电阻,第二电阻,第二电容和反向放大器,其中,所述第二电容构成所述隔直单元;所述第一电阻的第一端与所述隔直模块连接,所述第一电阻的第二端与所述反向放大器的第一端连接,还与所述第二电阻的第一端连接;所述第二电阻的第二端与所述反向放大器的第二端连接;所述第二电阻的第二端和所述反向放大器的第二端还与所述第二电容的第一端连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国电子科技集团公司第十三研究所 晶体静态电容抵消电路

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