申请/专利权人：上海交通大学

申请日：2023-12-01

公开（公告）日：2024-02-06

公开（公告）号：CN117525355A

主分类号：H01M4/36

分类号：H01M4/36;H01M4/04;H01M4/131;H01M10/054;H01M10/058;H01M4/62;H01M4/505;H01M4/525;C01G53/00;C01G45/12;C01G49/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本发明涉及一种基于阴离子变价的层状氧化物晶体粉末及其制备方法和应用，包括以下步骤：1将层状氧化物原料和惰性离子掺杂物按照比例充分混合，研磨均匀，压制成型；2将步骤1所得物料置于管式炉中，通过氧气气流20～40min，程序升温至450℃，保温3‑6h，然后继续程序升温至900℃，保温10‑15h；3结束后，管式炉自然降至室温，将烧结完成的晶体研磨至粉末状。将晶体作为钠离子电池正极，硬碳作为电池的负极，组装全电池利用阴离子氧化还原反应得到具有高能量密度的钠离子电池。与现有技术相比，本发明材料作为正极组装的钠离子电池，具有高的放电平台，高的放电容量和快速的动力学特性等优点。

主权项：1.一种基于阴离子变价的层状氧化物晶体粉末的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1将层状氧化物原料和惰性离子掺杂物按照比例充分混合，研磨均匀，压制成型；2将步骤1所得物料置于管式炉中，通过氧气气流20～40min，程序升温至450℃，保温3-6h，然后继续程序升温至900℃，保温10-15h；3结束后，管式炉自然降至室温，将烧结完成的晶体研磨至粉末状。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海交通大学 基于阴离子变价的层状氧化物晶体粉末及其制备方法和应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD