申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司

申请日：2016-11-22

公开（公告）日：2024-02-06

公开（公告）号：CN108091742B

主分类号：H01L33/30

分类号：H01L33/30;H01L33/12;H01L33/10;H01L33/06;H01L33/02;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.06#授权;2020.07.14#专利申请权的转移;2018.06.22#实质审查的生效;2018.05.29#公开

摘要：本发明涉及一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED及其制造方法，属于光电子技术领域，结构由下至上包括GaAs衬底、GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层、P型Alx2Ga1‑x2y2In1‑y2P第一窗口层和P型GaP第二窗口层。通过在常规黄绿光LED结构中利用MOCVD设备增加一层晶格匹配的高质量窗口层，形成改良的双层窗口层，既能避免第一窗口层的氧化，又能提升原普通结果一层窗口层的质量不高的问题，起到增加电流扩展的良率及光学窗口层的作用，提高了器件的可靠性、稳定性。

主权项：1.一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其特征在于，由下至上包括GaAs衬底、GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层、P型Alx2Ga1-x2y2In1-y2P第一窗口层和P型GaP第二窗口层，包括以下步骤：1将GaAs衬底放在MOCVD设备生长室内，H2环境升温到800±20℃烘烤30分钟，并通入AsH3,去除所述衬底表面水氧完成表面热处理；2将温度缓降到750±20℃，继续通入TMGa和AsH3，在GaAs衬底上生长厚度在0.5-1um的GaAs低温缓冲层；降温时间为120s-150s；3温度保持在750±20℃，继续通入TMGa、TMAl、和AsH3，在步骤2的GaAs低温缓冲层上生长Bragg反射镜层，Bragg反射镜层为AlGaAs或AlAs；4温度降至700±20℃，通入TMIn、TMAl、和PH3，在步骤3生成的Bragg反射镜层上生长n型AlInP下限制层；5保持温度在700±20℃，通入TMGa，在步骤4生成的AlInP下限制层上生长阱Alx1Ga1-x1y1In1-y1P垒Alx1Ga1-x1y1In1-y1P0≤x1，y1≤1多量子阱发光区；6保持温度在700±20℃，在步骤5生成的多量子阱发光区上生长p型AlInP上限制层；7将温度拉升到750±20℃，在步骤6的AlInP上限制层上生长Alx2Ga1-x2y2In1-y2P第一窗口层，其中0≤x2，y2≤1；8将温度拉升到800±20℃，在步骤7的第一窗口层上生长P型GaP第二窗口层；9在GaP第二窗口层的GaP材料表面蒸镀AuBeAu或TiAu金属薄膜，制作P面电极，然后将衬底材料减薄后蒸镀AuGe金属层制作背面电极，再将材料切割出一定尺寸的管芯产品，封装制作出成品LED器件。

全文数据：一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光led及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED及其制造方法，属于光电子技术领域。背景技术_2]LE咱身特征具备体积小，重量轻，发热量少，耗电量小，寿命长，单色性好，响应速度快，环保，抗震性好等优点，因而被广泛应用于各个领域。随着技术的不断进步，人们生活理念的改变，四元系AlGalnP黄绿光发光二极管广泛应用于信号指示、交通指示、汽车照明、特种照明等各个领域。四元系AlGalnP材料随着波长的变短，有源层A1组分不断升高，…原子与氧或碳原子结合导致材料产生严重的晶格缺陷，发光效率下降；另一方面黄绿光的能带由于A1组分的比例提高，能隙由直接能隙逐步转变成间接能隙，内量子效率进一步大幅下降，致使黄绿光波段LED产品光效较低；同时，利用有机金属气相沉积MOCVD技术生产时，由于载片盘边缘外延沉积效率差，外延片生长后边缘性能差，生产良率低，此类问题在工艺窗口更极限的黄绿光波段体现更为明显。[0003]常规的LK结构包括在GaAs衬底上由下至上依次包括GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AllnP下限制层、多量子阱发光区、AllnP上限制层和p-GaP或AlxGai-xAs窗口层。窗口层材料，一般选取宽带隙材料GaP或AlxGai-xAsAaP材料的化学稳定性好，具有高电导率和对AlGalnP发光波长全透明的特点，作为透光窗口能获得高的外量子效率，但GaP材料相对AlGalnP材料晶格失配度可达到-3.6%，非常大。导致在界面形成的网状位错密度增加，界面处晶格质量差，电子迁移率低，不仅影响电流的扩展，而且容易导致器件的可靠性和稳定性问题。AlxGai-xAs材料作为电流扩展层材料，本身与AlGalnP材料晶格匹配，能被P型重掺杂且载流子迀移率较高，但是AlxGa^As材料由于含有铝组分，电流扩展层中铝容易与氧、水等反应而变质，影响器件的可靠性。中国专利文件（申请号201610191079.X公开了一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法，在P型载流子限制层上依次沉积形成GaP电阻层和GaP窗口层，形成的产品在p型载流子限制层和GaP窗口层之间还设置了GaP电阻层，该专利只有一个常规GaP窗口层。目前现有技术中尚无对窗口层的改进方案。发明内容[0004]针对现有技术的不足，本发明提供了一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED及其制造方法；[0005]本发明利用M0CVD技术在GaAs衬底上生长AlGalnP材料，在GaAs衬底上由下至上依次包括GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AllnP下限制层、多量子讲发光区、AllnP上限制层和Alx2Gai—X2y2lm-y2P第一窗口层，p-GaP第二窗口层。此结构集GaP和Alx2Gai—x2y2lru—y2P材料的优点于一体，第一窗口层能被P型重掺杂且载流子迀移率较高，与常规结构晶格匹配，电子迁移率高，第二窗口层能避免材料的氧化，保证电流扩展和光学特性，提高了器件的可靠性、稳定性。[0006]本发明的技术方案为：[0007]—种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED，由下至上包括GaAs衬底、GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AllnP下限制层、多量子阱发光区、AllnP上限制层、P型（Alx2Gai—x2y2lm-y2P第一窗口层和P型GaP第二窗口层。[0008]—种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LH的制造方法，包括以下步骤：[0009]1将GaAs衬底放在MOCVD设备生长室内，H2环境升温到800±20°C烘烤30分钟，并通入AsH3，去除所述衬底表面水氧完成表面热处理，为步骤⑵做准备；[0010]2将温度缓降到750±20°C，继续通入TMGa和AsH3,在GaAs衬底上生长厚度在0•5-lum的GaAs低温缓冲层；降温时间为120s-150s;[0011]3温度保持在750±20°C，继续通入TMGa、TMAl、和AsH3,在步骤2的GaAs低温缓冲层上生长Bragg反射镜层，Bragg反射镜层为AlGaAs或AlAs;[0012]⑷温度降至700±2TC，通入TMIn、TMAl、和PH3,在步骤⑶生成的Bragg反射镜层上生长n型AllnP下限制层；[0013]5保持温度在700±20°C，通入TMGa，在步骤⑷生成的AllnP下限制层上生长阱AlxiGai—xiyilm-yiP垒AlxiGai-xiyilni-yiP0xl，yKl多量子讲发光区；[0014]6保持温度在700±20°C，在步骤5生成的多量子阱发光区上生长p型AllnP上限制层；[0015]7将温度拉升到750±20°C，在步骤⑹的AlInP上限制层上生长（AlX2Gal-X2y2Im—y2P第一窗口层，其中0x2，y2彡1;[0016]⑻将温度拉升到800±20°C，在步骤⑺的第一窗口层上生长P型GaP第二窗口层；[0017]⑼外延材料生长完毕后，在GaP第二窗口层的GaP材料表面蒸镀AuBeAu或TiAu金属薄膜，制作良好的P面电极，然后将衬底材料减薄后蒸镀AuGe金属层制作背面电极，再将材料切割出一定尺寸的管芯产品，利用常规LED封装技术制作出成品LED器件。[0018]根据本发明优选的，所述GaAs基LED的制备过程中，MOCVD设备的压力为50-200mbar。[0019]根据本发明优选的，所述GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AllnP下限制层的N型掺杂源为Si2H6;所述AllnP上限制层和AlX2Gai-x2ydni-yrf第一窗口层的掺杂源均为Cp2Mg，P型GaP第二窗口层的P型掺杂源为Cp2Mg或CBr4。[0020]根据本发明优选的，所述H2的流量为8〇〇〇—50000SCCm;所述TMGa的纯度为99.9999%，所述TMGa的恒温槽的温度为（-5_15°C;所述TMIn的纯度为99.9999%，所述TMIn的恒温槽的温度为15_2〇°C;所述TMA1的纯度为99.9"9%，所述TMA1的恒温槽的温度为10-281;所述AsH3的纯度为"•9999%;所述Si:*的纯度为的•9999%;所述Cp#g的纯度为99.9999%，所述Cp2Mg的恒温槽的温度为〇_25°C，所述CBr4的恒温槽的温度为0-10°C。[0021]根据本发明优选的，所述步骤2GaAs低温缓冲层的厚度为0•5-lum，掺杂浓度为1E17-5E18个原子cm3;[0022]特别优选的，所述步骤⑵GaAs低温缓冲层的厚度为〇.5um，掺杂浓度为1E18个原子cm3〇[0023]根据本发明优选的，所述步骤3中Bragg反射镜层的循环对数为10-20对，AlGaAs的掺杂浓度为1E17-5E18个原子cm3，AlAs的掺杂浓度为1E17_5E18个原子cm3;[0024]特别优选的，所述步骤⑶中Bragg反射镜层的循环对数为15对，AlGaAs的掺杂浓度为5E17个原子cm3，AlAs的掺杂浓度为1E18个原子cm3;[0025]根据本发明优选的，所述步骤⑷AllnP下限制层的厚度为0.5-3um，掺杂浓度为1E18-5E18个原子cm3;[0026]特别优选的，所述步骤4AlInP下限制层的厚度为2.5um，掺杂浓度为1E18个原子cm3。[0027]根据本发明优选的，所述步骤（5的多量子阱发光区的厚度为0.1-0.3um，xl=0.1，yl=0.4;[0028]特别优选的，所述步骤⑸的多量子阱发光区的厚度为O.lum。[0029]根据本发明优选的，所述步骤⑹的AllnP上限制层的厚度为0.l-3um，掺杂浓度为1E18-5E18个原子cm3;[0030]特别优选的，所述步骤6的AllnP上限制层的厚度为lum，掺杂浓度为1E18个原子cm3。[0031]根据本发明优选的，所述步骤⑺中的x2为0.3-0•5，y2为0.4-0.6，第一窗口层的厚度为〇•〇1-〇•5um，掺杂浓度为5E18-1E19个原子cm3;[0032]特别优选的，所述步骤⑺中的X2为0.35，y2为0.5,第一窗口层的厚度为〇.3um，掺杂浓度为1E19个原子cm3。[0033]根据本发明优选的，所述步骤（8的第二窗口层的厚度为l-15um，掺杂浓度为5E18-1E20个原子cm3;两个掺杂源均需要达到要求的掺杂浓度；[0034]特别优选的，所述步骤⑻的第二窗口层的厚度为8um，掺杂浓度为8E19个原子cm3。[0035]本发明的特点在于，通过在常规黄绿光LED结构中增加一层晶格匹配的高质量窗口层，形成改良的双层窗口层，既能避免第一窗口层的氧化，又能提升原普通结果一层窗口层的质量不高的问题，起到增加电流扩展的良率及光学窗口层的作用。通过控制三甲基镓、三甲基错通入的摩尔流量来控制错A1组分，同时，通过输入含Mg元素的物质形成p型掺杂材料。[0036]本发明的有益效果为：[0037]本发明增加窗口层为两层，在常规结构中P-GaP窗口层与A1InP下限制层之间增加第一'窗口层Alx2Gai-x2y2Ini—y2P，此结构集GaP和Alx2Gai—x2y2Ini—y#材料的优点于一体，第一窗口层能被P型重掺杂且载流子迀移率较高，与常规结构晶格匹配，电子迁移率高，第二窗口层能避免材料的氧化，保证电流扩展和光学特性，提高了器件的可靠性、稳定性。可大规模量产制成的产品，可较大地改善外量子效率，从而较大地提高产品光效，其亮度较传统结构可提升50%〜70%，因此，本发明能够大量生产发光波长560〜580nm范围的高效率的黄绿光波段的LED。附图说明[0038]图1为GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED结构示意图。具体实施方式[0039]下面结合说明书附图和实施例对本发明作进一步限定，但不限于此。[0040]如图丨所示。[0041]实施例1[0042]一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED，由下至上包括GaAs衬底、GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、A11nP下限制层、多量子阱发光区、A1InP上限制层、（A1x2Gai-x2y21m-y2P第一窗口层和P型GaP第二窗口层。[0043]实施例2[0044]—种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，包括以下步骤：[0045]1将GaAs衬底放在M0CVD设备生长室内，H2环境升温到800±20°C烘烤30分钟，并通入AsH3，去除所述衬底表面水氧完成表面热处理，为步骤2做准备；[0046]2将温度缓降到750±20°C，继续通入TMGa和AsH3,在GaAs衬底上生长厚度在0•5um的GaAs低温缓冲层;降温时间为120s;[OO47]3温度保持在750±20°C，继续通入TMGa、TMAl、和AsH3,在步骤2的GaAs低温缓冲层上生长Bragg反射镜层，Bragg反射镜层为AlGaAs;[0048]⑷温度降至700±2TC，通入TMIn、TMAl、和PH3,在步骤⑶生成的Bragg反射镜层上生长n型AllnP下限制层，下限制层厚度为2.5um;[0049]5保持温度在700±20°C，通入TMGa，在步骤⑷生成的A1InP下限制层上生长阱AlxiGai—xiyilni—yiP垒AlxiGai-xiyilni—yiP0xl，yl1多量子讲发光区；其中，xl=0•1，yl=0.4;多量子讲发光区的厚度为0•lum;[0050]6保持温度在700±20°C，在步骤5生成的多量子阱发光区上生长p型AllnP上限制层;A1InP上限制层的厚度为lum;[0051]7将温度拉升到750±20°C，在步骤⑹的AllnP上限制层上生长（Alx2Gai—x2y2Im—y2P第一窗口层，其中〇彡x2，y2彡1;x2为0•35，y2为0•5;第一窗口层的厚度为0•3um;[0052]8将温度拉升到800±20°C，在步骤7的第一窗口层上生长p型GaP第二窗口层；第二窗口层的厚度为8um;[0053]9外延材料生长完毕后，在GaP第二窗口层的GaP材料表面蒸镀AuBeAu或TiAu金属薄膜，制作良好的P面电极，然后将衬底材料减薄后蒸镀AuGe金属层制作背面电极，再将材料切割出一定尺寸的管芯产品，利用常规LH封装技术制作出成品LED器件。[0054]实施例3[0055]—种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其步骤如实施例2所述，所不同的是，步骤⑵中，降温时间为1。[0056]实施例4[0057]一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其步骤如实施例2所述，所不同的是，步骤3中，生长的Bragg反射镜层为A1As。[0058]实施例5[0059]—种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其步骤如实施例2所述，所不同的是，所述GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AllnP下限制层的N型掺杂源为Si2H3;所述AllnP上限制层和Alx2Gai-x2aim—ySP第一窗口层的掺杂源均为Cp2Mg，P-GaP第二窗口层的P型掺杂源为Cp2Mg。Si2抱的纯度为"•9999%;所述CpsMg的纯度为99•的99%。[0060]实施例6[0061]一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其步骤如实施例5所述，所不同的是，P-GaP第二窗口层的P型掺杂源为CBr4。[0062]实施例7[0063]一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其步骤如实施例2所述，所不同的是，步骤（2中GaAs低温缓冲层的厚度为lum;步骤（4AllnP下限制层的厚度为0.5um;步骤⑸的多量子阱发光区的厚度为〇_3um;步骤⑹的AllnP上限制层的厚度为0.lum；步骤⑺中的第一窗口层的厚度为〇•〇lum;步骤⑻的第一窗口层的厚度为lum。[0064]实施例8[0065]一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其步骤如实施例7所述，所不同的是，步骤⑷AllnP下限制层的厚度为3mn;步骤⑹的AllnP上限制层的厚度为3um;步骤⑺中的第一窗口层的厚度为〇•5um;步骤⑻的第二窗口层的厚度为15um。[0066]实施例9[0067]一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其步骤如实施例5所述，所不同的是，步骤2中GaAs低温缓冲层的掺杂浓度为1E18个原子cm3;步骤3中Bragg反射镜层的循环对数为15对，AlGaAs的掺杂浓度为5E17个原子cm3;步骤4AllnP下限制层的掺杂浓度为1E18个原子cm3;步骤6的AllnP上限制层的掺杂浓度为1E1S个原子cm3;步骤7中的第一窗口层的掺杂浓度为1E19个原子cm3;步骤8的第二窗口层的掺杂浓度为8E19个原子cm3。[0068]实施例10[0069]一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LK的制造方法，其步骤如实施例9所述，所不同的是，步骤2中GaAs低温缓冲层的掺杂浓度为1E17个原子cm3;步骤¾中Bragg反身寸镜层的循环对数为10对，AlGaAs的掺杂浓度为1E17个原子cm3;步骤4AllnP下限制层的掺杂浓度为5E18个原子cm3;步骤⑹的AllnP上限制层的掺杂浓度为5E18个原子cm3;步骤7中的第一窗口层的掺杂浓度为5E18个原子cm3;步骤8的第二窗口层的掺杂浓度为5E18个原子cm3。[0070]实施例11[0071]—种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其步骤如实施例9所述，所不同的是，步骤2中GaAs低温缓冲层的掺杂浓度为5E18个原子cm3;步骤3中Bragg反射镜层的循环对数为20对，AlGaAs的掺杂浓度为5E18个原子cm3;步骤⑻的第二窗口层的掺杂浓度为1E20个原子cm3。[OO72]实施例12[0073]—种GaAs基改良窗□层结构的黄绿光LED的制造方法，其步骤如实施例2所述，所不同的是，步骤7中的x2为0.3，y2为0.4。[0074]实施例13[0075]一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其步骤如实施例12所述，所不同的是，步骤⑺中的x2为0.5，y2为0.6。[0076]实施例14[0077]—种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其步骤如实施例4所述，所不同的是，AlAs的掺杂浓度为1E18个原子cm3。[007¾实施例15[0079]—种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其步骤如实施例14所述，所不同的是，AlAs的掺杂浓度为1E17个原子cm3。[0080]实施例16[0081]一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其步骤如实施例14所述，所不同的是，AlAs的掺杂浓度为5E18个原子cm3。[0082]实施例17[0083]一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其步骤如实施例2所述，所不同的是，所述出的流量为80003£；〇11;了以63的纯度为99.9999%，了16的恒温槽的温度为-5°C;TMIn的纯度为99•9999%，TMIn的恒温槽的温度为15T：;TMA1的纯度为99•9999%，TMA1的恒温槽的温度为1TC;AsH3的纯度为99.9999%;Cp2Mg的恒温槽的温度为〇°C，CBr4的恒温槽的温度为〇°C。[0084]实施例18[0085]一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其步骤如实施例17所述，所不同的是，所述H2的流量为50000sccm;TMGa的恒温槽的温度为15°C;TMIn的恒温槽的温度为20°C;TMA1的恒温槽的温度为28°C;Cp2Mg的恒温槽的温度为25°C，CBr4的恒温槽的温度为1TC。

权利要求：1.一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED，其特征在于，由下至上包括GaAs衬底、GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AllnP下限制层、多量子阱发光区、AllnP上限制层、P型Alx2Gai—x2y2Ini—y2P第一窗口层和P型GaP第二窗口层。2.—种制造权利要求1所述的GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1将GaAs衬底放在MOCVD设备生长室内，H2环境升温到800±20°C烘烤30分钟，并通入AsH3，去除所述衬底表面水氧完成表面热处理；⑵将温度缓降到750±20°C，继续通入TMGa和AsH3，在GaAs衬底上生长厚度在0.5-lum的GaAs低温缓冲层;降温时间为120s-150s;⑶温度保持在750±20°C，继续通入TMGa、TMA1、和AsH3，在步骤2的GaAs低温缓冲层上生长Bragg反射镜层，Bragg反射镜层为AlGaAs或AlAs;⑷温度降至700±20°C，通入TMIn、TMAl、和PH3,在步骤⑶生成的Bragg反射镜层上生长n型AllnP下限制层；5保持温度在700±20°C，通入TMGa，在步骤（4生成的AllnP下限制层上生长阱AlxiGai-xiyilm-yiP垒AlxiGai-xiyilm—yiP0xl，yll多量子讲发光区；⑹保持温度在700±20°C，在步骤5生成的多量子阱发光区上生长p型AllnP上限制层；7将温度拉升到75〇±2〇。：，在步骤6的八111^上限制层上生长01^1^2丫2111112?第一窗口层，其中0x2，y2l;⑻将温度拉升到800±20°C，在步骤⑺的第一窗口层上生长P型GaP第二窗口层；⑼在GaP第二窗口层的GaP材料表面蒸镀AuBeAu或TiAu金属薄膜，制作P面电极，然后将衬底材料减薄后蒸镀AuGe金属层制作背面电极，再将材料切割出一定尺寸的管芯产品，封装制作出成品Lm器件。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AllnP下限制层的N型掺杂源为Si2H6;所述AllnP上限制层和Alx2Gai—x2y2Im-y2P第一窗口层的掺杂源均为Cp2Mg，P型GaP第二窗口层的P型掺杂源为Cp2Mg或CBr4;优选的，所述H2的流量为8000—50000sccm;所述TMGa的纯度为99.9999%，所述TMGa的恒温槽的温度为-5_15°C;所述TMIn的纯度为99.9999%，所述TMIn的恒温槽的温度为15-20°C;所述TMA1的纯度为99.9999%，所述TMA1的恒温槽的温度为10-28°C;所述AsH3的纯度为99•9999%;所述Si2H6的纯度为99.9999%;所述Cp2Mg的纯度为99.9999%，所述Cp2Mg的恒温槽的温度为〇-25°C，所述CBr4的恒温槽的温度为0-KTC。4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步骤2中GaAs低温缓冲层的厚度为0.5-lum，掺杂浓度为1E17-5E18个原子cm3;优选的，所述步骤⑵中GaAs低温缓冲层的厚度为0.5um，掺杂浓度为1E18个原子cm3。5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步骤3中Bragg反射镜层的循环对数为10-20对，AlGaAs的掺杂浓度为1E17-5E18个原子cm3，AlAs的掺杂浓度为1E17-5E18个原子cm3;优选的，所述步骤3中Bragg反射镜层的循环对数为15对，AlGaAs的掺杂浓度为5E17个原子cm3，AlAs的掺杂浓度为1E18个原子cm3。6.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步骤4AllnP下限制层的厚度为0.5_3Um，掺杂浓度为1E18-5E1S个原子cm3;优选的，所述步骤4AllnP下限制层的厚度为2•5um，掺杂浓度为1E18个原子cm3。7.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步骤5的多量子阱发光区的厚度为0.1-0_3um，xl二0_l，yl=0.4;优选的，所述步骤（5的多量子阱发光区的厚度为0.lum〇8.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步骤6的AllnP上限制层的厚度为0.l-3um，掺杂浓度为1E18-5E18个原子cm3;优选的，所述步骤⑹的AllnP上限制层的厚度为lum，掺杂浓度为1E18个原子cm3。9.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步骤7中的x2为0•3-0.5，y2为0•4-〇.6,弟一窗口层的厚度为〇.〇1-〇_5皿，惨杂浓度为5£18-1£19个原子；1113;优选的，所述步骤（7中的x2为0.35，y2为0•5，第一窗口层的厚度为〇•3um，掺杂浓度为1E19个原子cm3。10.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步骤8的第二窗口层的厚度为l-15um，掺杂浓度为5E18-lE2〇个原子cm3;优选的，所述步骤8的第二窗口层的厚度为8um，掺杂浓度为8E19个原子cm3。

百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED及其制造方法

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