申请/专利权人：南京邮电大学

申请日：2023-06-27

公开（公告）日：2024-02-06

公开（公告）号：CN116504815B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/786;H01L21/34

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.06#授权;2023.08.15#实质审查的生效;2023.07.28#公开

摘要：一种高功率a‑IGZO薄膜晶体管及其制备方法，包括基底、支撑层、栅电极层、栅介质层、a‑IGZO有源层、变掺杂区、源电极层和漏电极层，支撑层设于基底上表面；栅电极层设于支撑层上表面中部；栅介质层覆盖于所述栅电极层和所述支撑层上；a‑IGZO有源层设于栅介质层上表面，变掺杂区为a‑IGZO有源层右端经处理后形成的变掺杂区；源电极层设于a‑IGZO有源层上表面的左侧，漏电极层设于变掺杂区上表面的右侧。本发明提供的漂移区变掺杂结构通过调制漂移区中的电场分布，能够有效提升器件击穿电压，降低漂移区电阻，优化器件导通电阻，显著提升薄膜晶体管的Baliga优值，可以用以提升晶体管的耐压性能和输出电流能力。

主权项：1.一种高功率a-IGZO薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为漏极漂移区结构，即栅电极和漏电极之间不重叠，其特征在于，包括基底（1）、支撑层（2）、栅电极层（3）、栅介质层（4）、a-IGZO有源层-1（5a）、变掺杂区（5b）、源电极层（6a）和漏电极层（6b），所述支撑层（2）设于基底（1）上表面；所述栅电极层（3）设于支撑层（2）上表面中部；所述栅介质层（4）覆盖于所述栅电极层（3）和所述支撑层（2）上；所述a-IGZO有源层-1（5a）设于栅介质层（4）上表面，所述变掺杂区（5b）为a-IGZO有源层-1（5a）右端经处理后形成的变掺杂区，在水平方向上，所述变掺杂区（5b）与栅电极层（3）之间存在交叠区；所述源电极层（6a）设于所述a-IGZO有源层-1（5a）上表面的左侧，所述漏电极层（6b）设于变掺杂区（5b）上表面的右侧，在水平方向上，源电极层（6a）与栅电极层（3）之间的存在交叠区；在水平方向上，所述变掺杂区（5b）左端掺杂浓度较低，为1×1017cm-3，右端掺杂浓度较高，为5×1017cm-3，掺杂浓度较低区域沿水平方向与所述栅电极层（3）存在交叠，掺杂浓度较高区域沿水平方向与所述漏电极层（6b）存在交叠。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京邮电大学 一种高功率a-IGZO薄膜晶体管及其制备方法

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