申请/专利权人：南京航空航天大学

申请日：2023-10-11

公开（公告）日：2024-02-09

公开（公告）号：CN117543190A

主分类号：H01Q1/36

分类号：H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q21/00;H01Q1/52;H01Q1/02;H01Q1/28;H01Q21/30;H01Q1/38;H01Q21/06;H05K7/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.09#公开

摘要：本发明公开了一种SIW单脉冲缝隙阵列和微带贴片结构的共享天线，包括共用金属面的SIW背腔单脉冲缝隙阵列和微带贴片结构，且微带贴片结构尺寸大于SIW背腔单脉冲缝隙阵列；SIW背腔单脉冲缝隙阵列包括对称设置的辐射腔I和辐射腔II以及相对设置的馈电腔I和馈电腔II，其中：辐射腔I和辐射腔II中的其中一个、馈电腔I、馈电腔II、微带贴片结构均采用同轴背馈馈电，辐射腔的同轴背馈连接微带贴片结构的边缘激励模式TM010，馈电腔I的同轴背馈激发模式TE31，馈电腔II的同轴背馈激发模式TE41，馈电腔I和馈电腔II在模式TE31和TE41谐振。

主权项：1.一种SIW单脉冲缝隙阵列和微带贴片结构的共享天线，其特征在于：包括共用金属面的SIW背腔单脉冲缝隙阵列4和微带贴片结构5，且微带贴片结构5尺寸大于SIW背腔单脉冲缝隙阵列4；SIW背腔单脉冲缝隙阵列4包括对称设置的辐射腔I和辐射腔II以及相对设置的馈电腔I和馈电腔II，其中：辐射腔I和辐射腔II中的其中一个、馈电腔I、馈电腔II、微带贴片结构5均采用同轴背馈7馈电，辐射腔的同轴背馈7连接微带贴片结构5的边缘激励模式TM010，馈电腔I的同轴背馈7激发模式TE31，馈电腔II的同轴背馈7激发模式TE41，馈电腔I和馈电腔II在模式TE31和TE41谐振。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京航空航天大学 一种SIW单脉冲缝隙阵列和微带贴片结构的共享天线

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