申请/专利权人：青禾晶元(天津)半导体材料有限公司;青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司

申请日：2023-11-10

公开（公告）日：2024-02-13

公开（公告）号：CN117233568B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26;G06F30/25;G16C60/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.13#授权;2024.01.02#实质审查的生效;2023.12.15#公开

摘要：本发明公开了一种载流子迁移率的计算方法和装置。该载流子迁移率的计算方法包括：采用预设条件对半导体材料进行离子注入；测量半导体材料的方阻；根据预设条件基于蒙特卡洛算法确定离子注入的注入深度和掺杂浓度；根据方阻、注入深度和掺杂浓度计算半导体材料的载流子迁移率。不仅避免了使用专业仪器进行载流子迁移率的测量及分析，节约了载流子迁移率的测量成本。同时在离子注入工艺的监控中实现载流子迁移率的测量，从而可以复用离子注入的工艺监控用于计算载流子迁移率，进一步地降低了载流子迁移率的测量成本。而且，根据预设条件基于蒙特卡洛算法确定离子注入的注入深度和掺杂浓度的模拟精度比较高，从而可以提高载流子迁移率的测量精度。

主权项：1.一种载流子迁移率的计算方法，其特征在于，包括：采用预设条件对半导体材料进行离子注入；测量所述半导体材料的方阻；其中，所述方阻的横截面为所述半导体材料的离子注入表面的垂面；根据所述预设条件基于蒙特卡洛算法确定离子注入的注入深度和掺杂浓度；根据所述方阻、所述注入深度和所述掺杂浓度计算所述半导体材料的载流子迁移率；其具体计算过程如下： 其中，Rs为半导体材料的方阻；q为单位电荷量，为1.6E-19C；为离子注入的掺杂浓度，r为离子注入的注入深度，为半导体材料的载流子迁移率；根据所述方阻、所述注入深度和所述掺杂浓度计算所述半导体材料的载流子迁移率，包括：基于所述方阻与电阻率和所述注入深度的关系，以及所述方阻和电导率的关系，确定所述方阻、所述注入深度和所述掺杂浓度与所述载流子迁移率的关系；其中，所述方阻与所述电阻率和所述注入深度的关系如下： 其中，Rs为半导体材料的方阻；为半导体材料的电阻率；为离子注入的注入深度关于半导体材料的深度x函数；基于所述方阻、所述注入深度和所述掺杂浓度与所述载流子迁移率的关系，根据所述方阻、所述注入深度和所述掺杂浓度计算所述载流子迁移率；测量所述半导体材料的方阻，包括：采用四探针方阻仪测量所述半导体材料的方阻；基于所述方阻与电阻率和所述注入深度的关系，以及所述方阻和电导率的关系，确定所述方阻、所述注入深度和所述掺杂浓度与所述载流子迁移率的关系，包括：根据所述方阻的定义，以所述半导体材料的离子注入表面的垂面作为所述方阻的横截面，确定所述方阻与所述电阻率和所述注入深度的关系；所述方阻的计算公式如下： 其中，Rs为半导体材料的方阻；为半导体材料的电阻率；A为半导体材料沿离子注入方向进行剖面的横截面；L为半导体材料的离子注入表面的边长；为离子注入的注入深度关于半导体材料的深度x函数；根据所述电阻率和所述电导率互为倒数的关系，基于所述电导率的定义，确定所述方阻、所述注入深度和所述掺杂浓度与所述载流子迁移率的关系；所述电阻率的计算公式如下： 其中，为半导体材料的电阻率；为半导体材料的电导率；为离子注入的掺杂浓度，q为单位电荷量，为1.6E-19C；为半导体材料的载流子迁移率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司;青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司 载流子迁移率的计算方法和装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD