申请/专利权人:中国电子科技集团公司第十四研究所
申请日:2023-11-23
公开(公告)日:2024-02-20
公开(公告)号:CN117574836A
主分类号:G06F30/392
分类号:G06F30/392;G06F119/02
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开
摘要:本发明涉及一种TR组件中储能电路的高可靠性设计方法,包括储能电容1、第一金带2、公共正极3、公共负极4、组件内电源正极5和第二金带6,储能电容1的负极与公共负极4相连接,正极通过第一金带2连接形成储能电容的公共正极3,公共正极3通过第二金带6连接组件内电源正极5。本发明提供的一种储能电路的设计方法,通过储能总电容量的冗余设计,以及一种电容短路失效时自行断开的巧妙设计,实现故障电容的自我隔离,从而大幅提高TR组件储能电路的可靠性。
主权项:1.一种TR组件中储能电路的高可靠性设计方法,其特征在于:包括储能电容1、第一金带2、公共正极3、公共负极4、组件内电源正极5和第二金带6,储能电容1的负极与公共负极4相连接,正极通过第一金带2连接形成储能电容的公共正极3,公共正极3通过第二金带6连接组件内电源正极5。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中国电子科技集团公司第十四研究所 一种TR组件中储能电路的高可靠性设计方法
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