申请/专利权人：宜宾英发德耀科技有限公司

申请日：2023-11-20

公开（公告）日：2024-02-20

公开（公告）号：CN117577737A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开

摘要：本申请实施例涉及光伏电池的技术领域，具体而言，涉及一种LPCVD路线正面poly方法，包括：在对硅片湿法化学处理后进行硼扩散形成BSG层；对所述硅片进行背抛；利用正面所述BSG层作为掩膜进行磷扩散；去除表面氧化层；通过LPCVD工艺在表面形成薄膜；在正面进行图形化印刷并进行热推进；制备表面掩膜；削减poly层；在所述硅片正面形成AlOSiN镀膜，背面形成SiN镀膜；制备两侧电极，通过本申请的poly方法形成的结构，避免了电池的上表面金属电极与硅基体直接接触，导致电池产生载流子复合，提高了电池的效率。

主权项：1.一种LPCVD路线正面poly方法，其特征在于，所述方法包括：S1、在对硅片湿法化学处理后进行硼扩散形成BSG层；S2、对所述硅片进行背抛；S3、利用正面所述BSG层作为掩膜进行磷扩散；S4、去除表面氧化层；S5、通过LPCVD工艺在表面形成薄膜；S6、在正面进行图形化印刷并进行热推进；S7、制备表面掩膜；S8、削减poly层；S10、在所述硅片正面形成AlOSiN镀膜，背面形成SiN镀膜；S11、制备两侧电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宜宾英发德耀科技有限公司 一种LPCVD路线正面poly方法

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