申请/专利权人:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日:2023-11-21
公开(公告)日:2024-02-20
公开(公告)号:CN117568919A
主分类号:C30B15/20
分类号:C30B15/20;C30B29/06
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开
摘要:本发明提供一种提高掺硼单晶硅BMD的方法及单晶晶棒,涉及单晶硅拉晶技术领域,在等径拉晶过程中,降低拉速为预定值进行拉晶,以延长BMD形成的时间,使得BMD有充足的时间成核、生长,使得掺硼单晶硅的BMD增加达到1E9eacm3以上,达到规格要求,提高良率。
主权项:1.一种提高掺硼单晶硅BMD的方法,其特征在于:在等径拉晶过程中,降低拉速为预定值进行拉晶,以使BMD的成核和生长时间增长,使得掺硼单晶硅的BMD增加达到1E9eacm3以上。
全文数据:
权利要求:
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