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【发明公布】一种具有低损耗高鲁棒性的serdes差分线结构及电子设备_之江实验室_202410071736.1 

申请/专利权人:之江实验室

申请日:2024-01-18

公开(公告)日:2024-02-23

公开(公告)号:CN117594966A

主分类号:H01P3/08

分类号:H01P3/08

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开

摘要:本发明公开了一种具有低损耗高鲁棒性的serdes差分线结构及电子设备,该serdes差分线结构通过光刻工艺制备获得的金属网状结构构建了金属网状等效地,包括至少五层二氧化硅基板,金属网状等效地设置在第一层二氧化硅基板和最后一层二氧化硅基板上,中间层二氧化硅基板分别设置为布线层和隔离层,布线层设置有serdes差分线对,隔离层用于隔离金属网状等效地和布线层。本发明提高了serdes线的信号抗干扰能力,同时,金属网状等效地有效降低了serdes线的耦合,使得信号在传输过程中插损下降,实现了serdes线在信号传输过程中的高稳定性和低损耗性,从而提升馈电网络质量,具有较高的鲁棒性。

主权项:1.一种具有低损耗高鲁棒性的serdes差分线结构,通过光刻工艺制备获得,其特征在于,所述serdes差分线结构包括至少五层二氧化硅基板,第一层二氧化硅基板和最后一层二氧化硅基板设置有通过金属网状等效地(1),中间层二氧化硅基板分别设置为布线层(2)和隔离层(3),所述布线层(2)设置有serdes差分线对(21),所述隔离层(3)用于隔离所述金属网状等效地(1)和所述布线层(2),所述serdes差分线对(21)与上下两层的金属网状等效地(1)构成带状线结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 之江实验室 一种具有低损耗高鲁棒性的serdes差分线结构及电子设备

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