申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学

申请日：2024-01-02

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN117590514A

主分类号：G02B6/02

分类号：G02B6/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开

摘要：本发明提出一种提高飞秒激光刻写光纤光栅透射谱深度的方法及装置，利用飞秒激光在双包层光纤上刻写光纤光栅，其中所述双包层光纤包括纤芯、内包层和外包层，所述内包层的横截面为多边形且所述多边形中至少一个转角为弧形转角；所述飞秒激光从所述内包层的弧形转角处入射至纤芯进行光纤光栅的刻写，能够提高所刻写出的光纤光栅透射谱深度。基于本发明能够确定找到在双包层光纤上刻写光纤光栅时飞秒激光的最佳入射角度，能够实现高效刻写性能良好的光纤光栅。

主权项：1.提高飞秒激光刻写光纤光栅透射谱深度的方法，其特征在于，利用飞秒激光在双包层光纤上刻写光纤光栅，其中所述双包层光纤包括纤芯、内包层和外包层，所述内包层的横截面为多边形且所述多边形中至少一个转角为弧形转角；所述飞秒激光从所述内包层的弧形转角处入射至纤芯进行光纤光栅的刻写，能够提高所刻写出的光纤光栅透射谱深度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 提高飞秒激光刻写光纤光栅透射谱深度的方法及装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD