申请/专利权人：中国科学院高能物理研究所

申请日：2023-11-22

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN117615549A

主分类号：H05K7/20

分类号：H05K7/20;H01L31/024;G01T1/36;H05K5/02;H05K5/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.15#实质审查的生效;2024.02.27#公开

摘要：本发明公开了一种高能量分辨阵列式SiPM探测器的制冷结构，其特征在于，包括穿壁电路、腔体和闪烁晶体；闪烁晶体与腔体形成一密闭腔体，内设有基板、陶瓷电路板和探测器阵列；穿壁电路包括柔性电路板、第一电路板和第二电路板；第一电路板上电连接一插头，第二电路板的前端穿过腔体的底部位于密闭腔体内、后端位于外部；插头经柔性电路板与第二电路板的前端电连接；陶瓷电路板的下表面与基板的上表面贴合；前端电子学器件经陶瓷电路板与插座电连接，插座通过插头与第一电路板电连接；各传感单元通过半导体制冷片贴合在陶瓷电路板上；基板的内部嵌有微流道结构。本发明解决了阵列式SiPM探测器的制冷和信号线的穿壁问题，大大提升了稳定性。

主权项：1.一种高能量分辨阵列式SiPM探测器的制冷结构，其特征在于，包括穿壁电路、腔体30和闪烁晶体31；所述闪烁晶体31与所述腔体30的顶部开口密闭连接，形成一密闭腔体；所述腔体30内设有基板20、陶瓷电路板7和探测器阵列；所述穿壁电路包括柔性电路板3、第一电路板4和第二电路板22；所述第一电路板4上电连接一高密度接插件插头5，所述第二电路板22的后端穿过所述腔体30的底部位于所述密闭腔体外，所述第二电路板22的前端位于所述密闭腔体内部；所述高密度接插件插头5经所述柔性电路板3与所述第二电路板22的前端电连接；所述陶瓷电路板7的上表面设有凹槽结构、高密度接插件插座6和若干前端电子学器件，所述陶瓷电路板7的下表面通过固化导热硅胶与所述基板20的上表面贴合；所述前端电子学器件经所述陶瓷电路板7与所述高密度接插件插座6电连接，所述高密度接插件插座6通过匹配的高密度接插件插头5与所述第一电路板4电连接；所述探测器阵列包括一半导体制冷片12和多个SiPM传感单元，各所述SiPM传感单元通过导热环氧胶贴合在所述半导体制冷片12的冷面上，所述半导体制冷片12的热面通过导热环氧胶贴合在所述凹槽结构的底面上；各所述SiPM传感单元分别通过一打线9与所述前端电子学器件连接，用于将采集的信号发送给所述前端电子学器件进行处理后发送给所述第一电路板4；所述第二电路板22的后端电连接一高密度接插件底座23，用于将所述穿壁电路输出的信号输出给后端电子学电系统；所述基板20的内部嵌有微流道结构29；所述微流道结构29的入口与一微流道进口管24的一端连接，微流道进口管24的另一端穿过所述腔体30的底部经一微流泵25与冷水排27的一端连接；所述微流道结构的出口与一微流道出口管28的一端连接，微流道出口管28的另一端穿过所述腔体30的底部与冷水排27的另一端连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院高能物理研究所 一种高能量分辨阵列式SiPM探测器的制冷结构

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