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【发明授权】一种光环行器及其制备方法_中国地质大学(武汉)_202210900180.3 

申请/专利权人:中国地质大学(武汉)

申请日:2022-07-28

公开(公告)日:2024-02-27

公开(公告)号:CN115267973B

主分类号:G02B6/27

分类号:G02B6/27;G02B6/26

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.02.27#授权;2022.11.18#实质审查的生效;2022.11.01#公开

摘要:本申请公开了一种光环行器及其制备方法,光环行器包括基片,基片包括:正六边形的耦合区域,耦合区域包括三个同等大小的类扇形像素块,任意两个像素块间呈120°轴对称;每个像素块包括M个圆形像素,圆形像素的状态为打孔或不打孔,M为大于200的正整数;输入波导,其连接在正六边形的耦合区域的第一边上;第一输出波导,其连接在正六边形的耦合区域的第二边上;及第二输出波导,其连接在正六边形的耦合区域的第三边上;第一边、第二边和第三边间隔设置。本申请的光环行器实现了非磁光效应的三端口的环形功能,不依赖于外加磁场的作用,并且具有高度集成的特点;本申请的光环行器端口一致性佳,各端口插入损耗在1.5dB以下,端口隔离度高于22.5dB。

主权项:1.一种光环行器,其特征在于,包括基片,所述基片由正六边形的耦合区域、输入波导、第一输出波导和第二输出波导组成;所述正六边形的耦合区域包括三个同等大小的类扇形像素块,任意两个所述像素块间呈120°轴对称;每个所述像素块包括M个圆形像素,所述圆形像素的状态为打孔或不打孔,M为大于200的正整数;所述圆形像素的直径为80nm~100nm,孔深为120nm~220nm;所述输入波导连接在所述正六边形的耦合区域的第一边上;所述第一输出波导连接在所述正六边形的耦合区域的第二边上;所述第二输出波导连接在所述正六边形的耦合区域的第三边上;所述第一边、所述第二边和所述第三边间隔设置;所述输入波导垂直连接在所述第一边上,所述第一输出波导垂直连接在所述第二边上,所述第二输出波导垂直连接在所述第三边上;所述输入波导、所述第一输出波导和所述第二输出波导相互间呈120°轴对称设置。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国地质大学(武汉) 一种光环行器及其制备方法

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