申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-08-29

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117641963A

主分类号：H10K39/32

分类号：H10K39/32;H10K39/38;H01L27/146

优先权：["20220831 KR 10-2022-0110185"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.01#公开

摘要：一种图像传感器，包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的下基底，设置在第一表面上的下电路器件，电连接到第一表面上的下电路器件的下布线结构，在第二表面上的下键合垫，在下键合垫和下布线结构之间穿过下基底的下键合过孔，设置在第一表面上并接触下键合过孔的着陆结构，在下键合垫上键合到下键合垫的上键合垫以及设置在上键合垫上并包括光电转换器件的上基底。着陆结构的至少一部分水平重叠下电路器件。

主权项：1.一种图像传感器，包括：第一芯片结构，包括第一基底、第一基底上的第一电路器件和电连接到第一电路器件的第一布线结构；第二芯片结构，包括：第二基底，设置在第一芯片结构上，并具有面向第一芯片结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面，第二电路器件，在第一表面和第一芯片结构之间，第二电路器件包括栅极电极，第二布线结构，在第二电路器件和第一芯片结构之间电连接到第二电路器件，下键合过孔，穿过第二基底，和下键合垫，在下键合过孔上；以及第三芯片结构，包括：第三基底，设置在第二基底的第二表面上并包括光电转换器件，第三电路器件，设置在第二表面和第三基底之间，第三布线结构，在第三电路器件和第二芯片结构之间电连接到第三电路器件，上键合过孔，电连接到第三布线结构，和上键合垫，在上键合过孔下方键合到下键合垫，其中，第二芯片结构还包括接触下键合过孔的下端的着陆结构，并且其中，着陆结构包括与第二电路器件的栅极电极相同的材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 包括具有与栅极电极相同材料的着陆结构的图像传感器

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