申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-08-26

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117672887A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：一种栅氧化层完整性的测试方法及装置、WAT测试装置。所述方法用于对第一晶圆中第一曝光场区进行栅氧化层完整性测试；所述方法包括：获取所述第一曝光场区中GOI测试键的失效模式数据信息；所述失效模式数据信息包括：所述GOI测试键的栅端焊接区在电压为第一电压值时对应的第一电流值的信息；以及所述GOI测试键的栅端焊接区在电压为第二电压值时对应的第二电流值的信息；所述第一电压值为所述GOI测试键的工作电压值，所述第二电压值为所述工作电压值的2.3倍；向所述GOI测试键的栅端焊接区施加所述失效模式数据信息中的电压值或电流值，对所述第一曝光场区进行栅氧化层完整性测试。采用上方案，可以缩短GOI测试所需的时间。

主权项：1.一种栅氧化层完整性的测试方法，用于对第一晶圆中第一曝光场区进行栅氧化层完整性测试，其特征在于，包括：获取所述第一曝光场区中GOI测试键的失效模式数据信息；所述失效模式数据信息包括：所述GOI测试键的栅端焊接区在电压为第一电压值时对应的第一电流值的信息；以及所述GOI测试键的栅端焊接区在电压为第二电压值时对应的第二电流值的信息；所述第一电压值为所述GOI测试键的工作电压值，所述第二电压值为所述工作电压值的2.3倍；向所述GOI测试键的栅端焊接区施加所述失效模式数据信息中的电压值或电流值，对所述第一曝光场区进行栅氧化层完整性测试。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 栅氧化层完整性测试方法及装置、WAT测试装置

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