申请/专利权人：浙江理工大学

申请日：2023-12-02

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117658157A

主分类号：C01B33/18

分类号：C01B33/18;A61L9/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明公开了一种单开孔空心硅球的制备方法，本发明通过以表面带正电荷的聚苯乙烯球为模板，利用静电喷雾造粒成球技术，在聚苯乙烯表面包覆一层硅溶胶，再通过煅烧将核去除，从而得到空心结构的硅球。其中，由于聚苯乙烯球表面带正电荷，能够使得在静电喷雾造粒成球的过程中，因受到同样电性的正电场的斥力而偏向一边的硅壳，最后再经煅烧后即可获得单开孔的空心硅球；所得单开孔空心硅球可将功能性物质例如香精、药物、催化剂等顺利载入内空间用于缓释，同时可维持较好的结构强度，因此具有较好的实际应用前景。另本发明制备方法工艺简单，可大批量生产，有利于工业化的生产与应用。

主权项：1.一种单开孔空心硅球的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、制备表面正电荷改性的聚苯乙烯球：将表面带正电荷的聚苯乙烯球加入双子季铵盐阳离子表面活性剂的水溶液中，于一定温度下搅拌反应，纯化，得到表面正电荷改性的聚苯乙烯球；S2、制备硅溶胶溶液：向无水乙醇与水混合溶剂中加入氨水，搅拌均匀，得到溶液A；然后向溶液A中加入正硅酸乙酯，搅拌反应，得到硅溶胶溶液；S3、制备单开孔空心硅球：S31、将制得的表面正电荷改性的聚苯乙烯球加入硅溶胶溶液中，超声处理；S32、将超声处理后的溶液进行静电喷雾造粒，高温煅烧，得到单开孔空心硅球。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江理工大学 一种单开孔空心硅球的制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD