申请/专利权人：中国科学院金属研究所

申请日：2023-11-01

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117665019A

主分类号：G01N23/20

分类号：G01N23/20;G01N23/20058;G01N27/26;G01N23/00;G01N23/22

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明提供了一种借助TEM确定纳米析出相及其周围晶粒取向分布的方法，在TEM成像模式下或者STEM模式下拍摄并记录感兴趣的区域形貌图，在TEM衍射模式，获得其对应的衍射图谱；对获得的电子衍射图谱进行标定，首先确定其晶体结构类型及所处衍射带轴[u,v,w]N；借助晶体模拟软件，构建上述纳米析出相的晶胞，并模拟获得上述纳米相的[u,v,w]N带轴的模拟衍射图谱；将模拟得到的衍射斑点沿着Z轴旋转TZN，获得此纳米析出相的三维晶体取向分布及其对应的晶向指数。本发明优点：通过在现有透射电镜上实现快速、方便地进行纳米析出相的晶体取向和相分布的分析，并且该方法具有实施成本低，可操作性强，技术可靠性高。

主权项：1.一种借助TEM确定纳米析出相及其周围晶粒取向分布的方法，其特征在于：具体包括以下步骤：1在TEM成像模式下或者STEM模式下拍摄并记录感兴趣的区域形貌图，需要注意的是要保证TEM模式和STEM模式下获取的图像方位的一致性；2以步骤1中的形貌图为导航，在TEM衍射模式分别对区域内所有感兴趣纳米析出相以及其所在基体分别做电子衍射，获得其对应的衍射图谱，同时记录各自处于转正状态时样品杆的倾转角度的数值，记作TxN和TyN，其中N为整数，代表第N个纳米析出相或者基体晶粒的编号；3对获得的电子衍射图谱进行标定，首先确定其晶体结构类型及所处衍射带轴[u,v,w]N；4借助晶体模拟软件构建上述纳米析出相的晶胞，并模拟获得上述纳米相的[u,v,w]N带轴的模拟衍射图谱；5首先将上述步骤4中模拟得到的衍射斑点沿着Z轴旋转TZN，使得其与实际纳米析出相的衍射斑点完全一致，然后利用软件再将其分别沿着样品的X轴和Y轴旋转-TxN和-TyN度，即可获得此纳米析出相的三维晶体取向分布及其对应的晶向指数；6采用同样的方法，能依次获得其他纳米析出相[u,v,w]n以及其所在基体的晶体取向[u,v,w]Matrix，将这些晶体取向示意图和晶向指数绘制在同一形貌图中，即可获得晶粒内部纳米析出相的取向分布特征。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院金属研究所 一种借助TEM确定纳米析出相及其周围晶粒取向分布的方法

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