申请/专利权人：西安建筑科技大学

申请日：2023-11-29

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117304922B

主分类号：C09K11/59

分类号：C09K11/59;C09K11/66

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.08#授权;2024.01.16#实质审查的生效;2023.12.29#公开

摘要：本发明属于无机荧光材料技术领域，公开一种可调控陷阱的超长余辉材料及其制备方法和应用；所述超长余辉材料，以X2MgY2O7为基质材料，通过掺杂引入掺杂激活离子源M获得，其化学表达式为X2MgY2O7:xM；其中，X为Ba2+和Sr2+中的一种或两种；Y为Si4+和Ge4+中的一种或两种；M为稀土金属离子和过渡金属离子中的一种或多种；x为掺杂激活离子源M占基质中Y的摩尔百分比，且0＜x≤10%。本发明通过调控带隙工程及陷阱工程获得的超长余辉材料，采用传统的高温固相法制备，其制备工艺简单、产量大、成本较低等优点。

主权项：1.一种可调控陷阱的超长余辉材料，其特征在于，以Sr2MgSiGeO7为基质材料，通过掺杂引入掺杂激活离子源M获得；且所述超长余辉材料的化学表达式为Sr2MgSiGeO7:xM；其中，x为掺杂激活离子源M占基质中Y的摩尔百分比；Y为Si4+和Ge4+；Sr2MgSiGeO7:xM为Sr2MgSiGeO7:0.5％Eu,0.5％Mn,0.5％Dy、Sr2MgSiGeO7:0.5％Eu,0.5％Mn、Sr2MgSiGeO7:0.5％Eu,0.5％Dy、Sr2MgSiGeO7:0.5％Eu,0.5％Mn,0.5％Y、Sr2MgSiGeO7:0.5％Eu,0.5％Mn,0.5％Nd、Sr2MgSiGeO7:0.5％Eu,0.5％Mn,0.5％Ce和Sr2MgSiGeO7:0.5％Eu,0.5％Mn,0.5％Gd中的任意一种。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安建筑科技大学 一种可调控陷阱的超长余辉材料及其制备方法和应用

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