申请/专利权人：中国特种设备检测研究院;青海中特检特种设备检测有限公司

申请日：2023-12-13

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117686533A

主分类号：G01N23/18

分类号：G01N23/18;G06T11/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明涉及一种检测管壁缺陷、相邻连续缺陷及绘制管壁缺陷图像的方法，涉及管壁缺陷检测的技术领域，所述检测管壁缺陷的方法包括校准步骤、单点检测步骤、周向检测步骤、轴向检测步骤、获得缺陷位置步骤、获得缺陷位置步骤和检测缺陷深度步骤；所述检测相邻连续缺陷的方法包括判断轴向相邻连续缺陷步骤和判断周向相邻连续缺陷步骤；所述绘制管壁缺陷图像步骤包括建立坐标系步骤和绘制图像步骤。本发明能够在线检测满足精度要求的管壁缺陷信息。

主权项：1.一种检测管壁缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：校准：在空气中对γ射线源和射线接收器进行校准检测，获得射线接收器的检测误差；单点检测：对当前管壁位置进行检测，包括获得衰减曲线步骤、获得管壁内沿位置步骤和获得管壁外沿位置步骤；获得衰减曲线：γ射线源和射线接收器分别设置在管壁两侧，射线接收器上阵列排布有用于接收γ射线的晶粒，γ射线源沿管壁的切线方向照射γ射线，γ射线穿过管壁，射线接收器上的晶粒沿管壁的切线方向接收衰减后的射线，生成该点位的射线衰减曲线，其中横坐标为射线接收器上沿管外到管内方向上的晶粒编号，纵坐标为第个晶粒上的射线接收量；获得管壁内沿位置：计算衰减曲线上各个晶粒对应的射线剂量变化率，（当时，）；当其中一个晶粒的射线剂量变化率与下个临近晶粒的射线剂量变化率的乘积小于零时，即时，则该晶粒对应的位置为管壁内沿位置，记录该晶粒的编号为，其中为该点位在管壁周向上的位置，为该点位在管壁轴向上的位置，点位的位置为；获得管壁外沿位置：计算衰减曲线上各个晶粒对应的射线剂量变化率的变化率，（当时，）；取的最大值所对应的晶粒编号，该晶粒位置为管壁外沿位置，记录该晶粒的编号为；周向检测：完成某一点位的测量后，同步驱动γ射线源和射线接收器沿管壁周向移动，移动步长为，重复单点检测步骤，进行下个点位的测量，直至完成管壁周向上全部点位的测量后，回到初始测量位置；轴向检测：完成管壁一周的检测后，同步驱动γ射线源和射线接收器沿管壁轴向移动，轴向移动步长为，到达下一测量点位，重复单点检测步骤和周向检测步骤，进行该周向上所有点位的测量，之后重复驱动γ射线源和射线接收器轴向移动，进行下一周向上点位的测量，直至完成管道周向和轴向上全部点位的测量；获得缺陷位置：包括计算壁厚步骤、调整壁厚值步骤和输出缺陷位置步骤；计算壁厚：射线接收器上每个晶粒的长度为S，令，则该点位管壁的壁厚值为，，记录中壁厚值的最大值为；调整壁厚值：壁厚值的测量误差为，令，若，则调整该点位的壁厚值，若，则该点位的壁厚值，对各点位的进行调整；输出缺陷位置：将调整后各点位的与比较，若，则该点位为有缺陷的管壁位置。

全文数据：

权利要求：

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