申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117691468A

主分类号：H01S5/20

分类号：H01S5/20;H01S5/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明提出了一种GaN基半导体紫光紫外激光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述衬底与下限制层之间设置有衬底模式抑制层，所述衬底模式抑制层具有Si掺杂浓度分布、C元素分布、O元素分布、H元素分布和Al元素分布，所述衬底具有Si掺杂浓度分布、C元素分布、O元素分布和H元素分布，所述下限制层具有C元素分布、O元素分布和H元素分布。本发明可抑制衬底模式泄漏，消除激光器远场分布图像中的波瓣，防止高扭结，解决光场模式泄漏至衬底形成的驻波，使主激光束无波纹，提升光束质量因子，提升远场FFP质量，并降低光波导的吸收损耗，改善折射率色散，减少内部光学损耗。

主权项：1.一种GaN基半导体紫光紫外激光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述衬底与下限制层之间设置有衬底模式抑制层，所述衬底模式抑制层具有Si掺杂浓度分布、C元素分布、O元素分布、H元素分布和Al元素分布，所述衬底具有Si掺杂浓度分布、C元素分布、O元素分布和H元素分布，所述下限制层具有C元素分布、O元素分布和H元素分布。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种GaN基半导体紫光紫外激光二极管

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