申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司

申请日：2023-11-16

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727847A

主分类号：H01L33/14

分类号：H01L33/14;H01L33/04;H01L33/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种半导体紫光紫外发光二极管，从下至上依次包括衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱、p型空穴扩展层，所述p型空穴扩展层In元素分布具有函数y＝ax‑a‑x曲线分布；所述p型空穴扩展层Al元素分布具有函数y＝ax‑1ax+1曲线分布；所述p型空穴扩展层的Mg掺杂浓度分布具有函数y＝logbm‑xm+x曲线分布。本发明提升离化空穴的横向和纵向扩展能力，增加空穴的输运与注入效率，将半导体紫外发光二极管的ESD通过率从8KVESD通过率60％以下提升至90％以上。

主权项：1.一种半导体紫光紫外发光二极管，从下至上依次包括衬底100、n型半导体101、超晶格层102、量子阱103、p型空穴扩展层104，其特征在于，所述p型空穴扩展层104的Mg掺杂浓度分布具有函数y＝logbm-xm+xb1,m0曲线分布。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种半导体紫光紫外发光二极管

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD