申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117691467A

主分类号：H01S5/20

分类号：H01S5/20;H01S5/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明提出了一种氮化镓基半导体紫光紫外激光芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，对有源层、上波导层和下波导层中的Al元素、In元素、Si掺杂浓度、Mg掺杂浓度、C元素、O元素和H元素进行特定设计。本发明能够抑制有源层In组分涨落和InN相分离，提升有源层的晶体质量和界面质量，减少缺陷和降低热退化，抑制光学灾变，调控有源层的极化电场，降低空穴注入有源层的势垒，提升有源层电子空穴的对称性和匹配性，减少电子泄漏，提升激光器的峰值增益和增益均匀性，通过上波导层和下波导层的设计降低光波导的吸收损耗以及激光折射率色散对限制因子的影响，提升激光器的光束质量和限制因子。

主权项：1.一种氮化镓基半导体紫光紫外激光芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述有源层具有In元素分布、Si掺杂浓度分布、Mg掺杂浓度分布、C元素分布、O元素分布和H元素分布特性，所述上波导层具有Al元素分布、In元素分布、C元素分布、O元素分布和H元素分布特性，所述下波导层具有Al元素分布、In元素分布、Si掺杂浓度分布、C元素分布、O元素分布和H元素分布特性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种氮化镓基半导体紫光紫外激光芯片

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD