申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117691466A

主分类号：H01S5/20

分类号：H01S5/20;H01S5/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明提出了一种半导体紫光紫外激光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述上波导层与所述上限制层之间设置有空穴注入与电子阻挡层，所述空穴注入与电子阻挡层具有Mg掺杂浓度分布、Al元素分布、Si掺杂浓度分布、C元素分布、H元素分布和O元素分布特性。本发明使半导体紫外激光器降低Mg激活能并提升Mg离化效率，提升空穴注入与电子阻挡层的空穴浓度，提升空穴注入有源层的效率和输运效率，并且降低内部光学损耗，同时不降低电子势垒，改善电子溢流效应，兼具提升空穴注入效率和阻挡电子溢流的双重功能，进而降低紫外激光器的阈值电流和电压，提升紫外激光器的斜率效率。

主权项：1.一种半导体紫光紫外激光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述上波导层与所述上限制层之间设置有空穴注入与电子阻挡层，所述空穴注入与电子阻挡层具有Mg掺杂浓度分布、Al元素分布、Si掺杂浓度分布、C元素分布、H元素分布和O元素分布特性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种半导体紫光紫外激光二极管

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