申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-11-02

公开（公告）日：2024-05-07

公开（公告）号：CN117995837A

主分类号：H01L27/06

分类号：H01L27/06

优先权：["20221102 KR 10-2022-0144302"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.05.07#公开

摘要：一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案，其设置在所述衬底上；第二有源图案，其堆叠在所述第一有源图案上；第一栅极结构，其延伸以与所述第一有源图案和所述第二有源图案相交；第二栅极结构，其与所述第一栅极结构间隔开，并且延伸以与所述第一有源图案和所述第二有源图案相交；第一外延图案，其介于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，并且连接到所述第一有源图案；第二外延图案，其介于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，并且连接到所述第二有源图案；绝缘图案，其介于所述第一外延图案与所述第二外延图案之间；和半导体膜，其介于所述绝缘图案与所述第二外延图案之间，所述半导体膜沿着所述绝缘图案的顶表面延伸。

主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；第一有源图案，所述第一有源图案设置在所述衬底上并且在第一方向上延伸；第二有源图案，所述第二有源图案堆叠在所述第一有源图案上并且在所述第一方向上延伸；第一栅极结构，所述第一栅极结构在第二方向上延伸以与所述第一有源图案和所述第二有源图案相交，所述第二方向与所述第一方向相交；第二栅极结构，所述第二栅极结构在所述第一方向上与所述第一栅极结构间隔开，并且在所述第二方向上延伸以与所述第一有源图案和所述第二有源图案相交；第一外延图案，所述第一外延图案介于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，所述第一外延图案连接到所述第一有源图案；第二外延图案，所述第二外延图案介于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，所述第二外延图案连接到所述第二有源图案；绝缘图案，所述绝缘图案介于所述第一外延图案与所述第二外延图案之间；和半导体膜，所述半导体膜介于所述绝缘图案与所述第二外延图案之间，所述半导体膜沿着所述绝缘图案的顶表面延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

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