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【发明公布】一种SiC/AlN复相微波衰减陶瓷、制备方法与应用_南京工业大学_202311718572.9 

申请/专利权人:南京工业大学

申请日:2023-12-14

公开(公告)日:2024-03-12

公开(公告)号:CN117682867A

主分类号:C04B35/581

分类号:C04B35/581;C04B35/622;C04B35/645;H01P1/22

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要:本发明涉及微波衰减材料技术领域,具体涉及一种SiCAlN复相微波衰减陶瓷、制备方法与应用,具体是以高导热、高绝缘AlN为基体,以电导率为10–5–101S·cm−1的β‑SiC和电导率为10–10–10–9S·cm−1的α‑SiC共同作为衰减剂,将三者混料后采用热压烧结制备的SiCAlN复相微波衰减陶瓷。本发明通过合理调节混合粉料中β‑SiC和α‑SiC的添加比例,实现了复相陶瓷电磁参数的调控与优化,同时对材料厚度进行控制,使其在不同的频率下获得较强的微波吸收能力,表现出了强吸波且吸波频率可调特性,满足AlN基微波衰减陶瓷对不同频段电磁波的有效吸收需求。

主权项:1.一种SiCAlN复相微波衰减陶瓷,其特征在于,AlN为衰减陶瓷基体,以电导率为10–5–101S·cm−1的β-SiC和电导率为10–10–10–9S·cm−1的α-SiC共同作为衰减剂,Y2O3和Al2O3为复合烧结助剂;其中,SiCAlN复相微波衰减陶瓷包含以下质量百分数的各组分:50–90wt%的AlN,3-10wt%的β-SiC,5–40wt%的α-SiC,以及1–6wt%的Y2O3和1–3wt%的Al2O3。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京工业大学 一种SiC/AlN复相微波衰减陶瓷、制备方法与应用

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