申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2023-11-15

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117690992A

主分类号：H01L31/117

分类号：H01L31/117;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本申请属于三维探测器技术领域，具体涉及一种光电倍增型探测器及其制备方法。该光电倍增型探测器包括基体，该基体具备读取面与接收面，读取面与接收面设于基体厚度方向的至少一端；该光电倍增型探测器还包括第一电极、增益区及第二电极，其中，第一电极设于读取面上，增益区与第一电极相邻设置，而第二电极设于接收面上，增益区包含P区与N区，P区与N区的掺杂浓度不一致。本申请的光电倍增型探测器还包括绝缘层，该绝缘层位于基体上未布置电极的表面。该探测器在电极的读出电路附近形成局部高电场，进而改善器件的抗辐照性与信号放大能力，比如时间分辨率提高，响应速度加快等，此外，还改善了现有填充方式不均匀现象。

主权项：1.一种光电倍增型探测器，其特征在于：包括：基体：具备读取面与接收面，所述读取面与接收面设于所述基体厚度方向的至少一端；第一电极：设于所述读取面上；增益区：与所述第一电极相邻设置；第二电极：设于所述接收面上；绝缘层：位于所述基体上未布置电极的表面；所述增益区包含P区与N区，所述P区与所述N区的掺杂浓度不一致。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 光电倍增型探测器及其制备方法

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