申请/专利权人：芯天下技术股份有限公司

申请日：2021-06-30

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN113409872B

主分类号：G11C16/34

分类号：G11C16/34;G11C16/14

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权;2021.10.08#实质审查的生效;2021.09.17#公开

摘要：本发明公开了一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括：在对芯片中选中的存在过擦除问题的存储单元进行读取或校验数据操作时，对选中的存储单元的Bulk端施加负压和或对同一位线上未选中的存储单元的字线端施加负压和或对选中的存储单元的源端施加正压；该方法提供了“对选中的存储单元的Bulk端施加负压、对同一位线上未选中的存储单元的字线端施加负压、对选中的存储单元的源端施加正压”共三种基础处理方式抑制过擦除存储单元在数据读取校验时漏电行为，进而使得擦除存储单元可在不修复的情况下进行正常使用，且三种基础处理方式可独立或任意搭配使用，具有多样性特点。

主权项：1.一种抑制闪存过擦除的方法，其特征在于，用于抑制NorFlash中存储单元的过擦除现象，所述方法包括：在对芯片中选中的存在过擦除问题的存储单元进行读取或校验数据操作时，对选中的存储单元的Bulk端施加负压和对同一位线上未选中的存储单元的字线端施加负压和对选中的存储单元的源端施加正压；对选中的存储单元的Bulk端施的加负压的电压值和对同一位线上未选中的存储单元的字线端施加的负压的电压值大小相等，对同一位线上未选中的存储单元的字线端施加的负压的电压绝对值和对选中的存储单元的源端施加的正压的电压绝对值相等。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯天下技术股份有限公司 一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质

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