申请/专利权人：信越化学工业株式会社;后藤太一

申请日：2022-07-25

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117716516A

主分类号：H01L29/82

分类号：H01L29/82

优先权：["20210728 JP 2021-123390"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.15#公开

摘要：本发明是一种自旋波激发检测结构体，其为激发并检测自旋波的自旋波激发检测结构体，其具备：支撑基板；设置于该支撑基板上的导体膜；设置于该导体膜上的绝缘磁体膜；以及设置于该绝缘磁体膜上的导体线。由此，提供一种结构强度高、并且可激发的自旋波强度高、可激发的自旋波的频带宽度宽的自旋波激发检测结构体。

主权项：1.一种自旋波激发检测结构体，其为激发并检测自旋波的自旋波激发检测结构体，其特征在于，其具备：支撑基板；设置于所述支撑基板上的导体膜；设置于所述导体膜上的绝缘磁体膜；以及设置于所述绝缘磁体膜上的导体线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 信越化学工业株式会社;后藤太一 自旋波激发检测结构体

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