申请/专利权人：武汉仟目激光有限公司

申请日：2021-11-16

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN114204413B

主分类号：H01S5/183

分类号：H01S5/183;H01S5/34

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.15#授权;2022.04.05#实质审查的生效;2022.03.18#公开

摘要：本发明涉及一种离子注入辅助的氧化型VCSEL制备方法，包括S1，于衬底上生长外延结构层，并在外延结构层上生长P面金属；S2，在P面金属上方生长第一保护层；S3，生长完第一保护层后，制作氧化层；S4，刻蚀完氧化孔径后，生长第二保护层；S5，做光刻图形，随后进行离子注入，并控制离子注入的内径大于氧化孔的直径，且离子注入的内径小于P面金属的内径；S6，再次生长第三保护层；S7，进行通孔刻蚀；S8，接着对P面金属进行处理并生长N面金属后得到激光器。本发明通过将离子注入的内径控制在大于氧化孔直径，但小于P面金属的内径的范围可以使得外延层表面同P金属接触的高导电率的部分维持高导电率，使得金属和半导体之间依然保持良好的欧姆接触。

主权项：1.一种离子注入辅助的氧化型VCSEL制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，于衬底上生长外延结构层，并在外延结构层上生长P面金属；S2，待P面金属生长完毕后在P面金属上方生长第一保护层；S3，生长完第一保护层后，制作氧化层，制作的方式为先进行沟道刻蚀，再在沟道刻蚀的基础上进行氧化，刻蚀出氧化孔径；S4，刻蚀完氧化孔径后，生长第二保护层；S5，生长完第二保护层后，做光刻图形，随后进行离子注入，并控制离子注入的内径大于氧化孔的直径，且所述离子注入的内径小于所述P面金属的内径，并放弃注入深度较浅的离子注入部分，离子注入的种类和剂量包括注入能量为370keV且剂量为4E+13的He+离子、注入能量为560keV且剂量为3E+13的He+离子、注入能量为300keV且剂量为3.5E+14的H+离子、注入能量为370keV且剂量为3.5E+14的H+离子以及注入能量为420keV且剂量为5E+14的H+离子；S6，待离子注入完毕后，再次生长第三保护层；S7，生长完第三保护层后进行通孔刻蚀；S8，接着对P面金属进行处理并生长N面金属后得到激光器。

全文数据：

权利要求：

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