申请/专利权人：通快光电器件有限公司

申请日：2022-08-26

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117882255A

主分类号：H01S5/026

分类号：H01S5/026;G01S7/4912;H01S5/183;H01S5/30

优先权：["20210830 DE 102021122386.5"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：公开一种垂直腔表面发射激光器VCSEL，其包括光学谐振器12、光电二极管28和电接触布置结构。光学谐振器包括半导体多层堆叠体14。半导体多层堆叠体14沿其生长方向包括第一分布式布拉格反射器20和第二分布式布拉格反射器26以及布置在二者20，26之间的用于激光发射的有源区域24。电接触布置结构被布置成对光学谐振器12泵电并电接触光电二极管28。第二分布式布拉格反射器26具有比第一分布式布拉格反射器20高的反射率。光电二极管具有布置在第二分布式布拉格反射器26中的吸收区域30。隧道结42布置在光电二极管28与有源区域24之间。还公开了包括VCSEL的激光传感器和制造VCSEL的方法。

主权项：1.一种垂直腔表面发射激光器，所述垂直腔表面发射激光器包括光学谐振器12、光电二极管28和电接触布置结构，所述光学谐振器包括半导体多层堆叠体14，所述半导体多层堆叠体14沿所述半导体多层堆叠体14的生长方向包括第一分布式布拉格反射器20和第二分布式布拉格反射器26以及布置在所述第一分布式布拉格反射器20与所述第二分布式布拉格反射器26之间的用于激光发射的有源区域24，其中，所述电接触布置结构被布置成对所述光学谐振器12电泵浦并电接触所述光电二极管28，其中，所述第二分布式布拉格反射器26的反射率比所述第一分布式布拉格反射器20的反射率高，其中，所述光电二极管具有布置在所述第二分布式布拉格反射器26中的吸收区域30，并且其中，在所述光电二极管28与所述有源区域24之间布置有隧道结42。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 通快光电器件有限公司 垂直腔表面发射激光器（VCSEL）、激光传感器和制造VCSEL的方法

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