申请/专利权人：常州时创能源股份有限公司

申请日：2022-04-30

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN115020537B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L21/306;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/068

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.15#授权;2022.09.23#实质审查的生效;2022.09.06#公开

摘要：本发明公开了一种P型IBC电池及其制备方法，制备方法包括：（1）硅基底双面抛光；（2）双面沉积隧穿氧化层和非晶硅层，高温磷扩；（3）背面涂覆一层浆料，烘干和退火处理后形成一层掩膜层；（4）利用激光对背面的掩膜层进行图形化开膜，在背面形成裸露的P区和覆盖有掩膜层的N区；（5）双面碱制绒；（6）双面沉积氧化铝膜；（7）双面沉积氮化硅膜；（8）利用激光对P区进行图形化开膜；（9）丝网印刷。本发明在硅基底背面单面涂覆一层能形成掩膜层的浆料，通过激光和碱制绒相结合的方式来实现隔离硅基底背面的P区和N区，碱制绒能够减少激光开膜过程对硅基底造成的损伤，容易实现单面沉积掩膜层，且无需额外清洗，节约工序。

主权项：1.一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1硅基底双面抛光；2双面沉积隧穿氧化层和非晶硅层，再进行高温磷扩散实现非晶硅层的掺杂和晶化，将非晶硅层转换成掺磷多晶硅层；3在所述硅基底的背面涂覆一层浆料，并对所述硅基底进行烘干和退火处理，使得所述浆料在所述硅基底的背面形成一层掩膜层；形成掩膜层的浆料包含有硼掺杂改性的氮氧化硅；所述掩膜层不与碱溶液发生反应；4利用激光对所述硅基底背面的掩膜层进行图形化开膜，刻蚀掉所述硅基底背面部分区域的掩膜层、掺杂多晶硅层以及隧穿氧化层，在所述硅基底的背面形成裸露的P区和覆盖有掩膜层的N区；5双面碱制绒，所述硅基底的背面覆盖有掩膜层的区域不被碱液腐蚀，形成N区；所述硅基底的背面没有覆盖掩膜层的区域通过碱液刻蚀减少激光损伤并露出硅基底，形成具有绒面结构的P区；此时所述硅基底的正面形成完整的绒面结构；6双面沉积氧化铝膜；7双面沉积氮化硅膜；8利用激光对所述硅基底背面的P区进行图形化开膜，去除所述P区表面的氧化铝膜和氮化硅膜；9在所述硅基底的背面进行丝网印刷，形成叉指状发射极，制得P型IBC电池。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 常州时创能源股份有限公司 一种P型IBC电池及其制备方法

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