申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2022-01-10

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN114361289B

主分类号：H01L31/113

分类号：H01L31/113;H01L31/032;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.15#授权;2022.05.03#实质审查的生效;2022.04.15#公开

摘要：一种基于范德华金属电极的自驱动超快光电探测器构筑方法，涉及微电子异质结光电探测器件应用领域。采用机械剥离的方法剥离二维金属材料Fe3GeTe2、Graphene，叠层过渡族金属硫化物WSe2，形成Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结。在此结构中不同范德华金属电极与沟道材料WSe2的接触长度存在差异，形成非对称的几何接触形状，获得不同的肖特基势垒高度，从而形成有效的结区内部电场，产生自驱动电流。此光电探测器具有结构简单、暗电流几乎为零、响应度高、响应速率快、灵敏度高等特点。Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结可以拓展于二维材料相关的微电子器件及光电探测器领域的应用。

主权项：1.一种基于范德华金属电极的自驱动超快光电探测器构筑方法，其特征在于，光电探测器至少包括硅二氧化硅衬底，二维金属Fe3GeTe2和Graphene以及薄层WSe2材料组成的异质结，还包括必要的金属电极及电极黏附层；通过形成非对称的二维金属电极接触，得到与中间层沟道材料WSe2不同的肖特基势垒高度，从而形成有效的结区内部电场；所述的二维金属Fe3GeTe2在沟道材料WSe2的底层，所述的二维金属Graphene在沟道材料WSe2的顶层，中间层为沟道材料WSe2；在硅衬底上为二氧化硅层，二氧化硅层上为金属Fe3GeTe2-半导体WSe2-金属Graphene异质结，并在二氧化硅层上形成垂直结构的异质结；在二维金属Fe3GeTe2和Graphene上分别通过电极黏附层粘结有金属电极，形成源漏电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 一种基于范德华金属电极的自驱动超快光电探测器构筑方法

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