申请/专利权人：索泰克公司

申请日：2022-09-08

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117957732A

主分类号：H01S5/02

分类号：H01S5/02;H01S5/183

优先权：["20210922 FR FR2109949"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.30#公开

摘要：本发明涉及一种用于光电应用的半导体结构150，其包括：‑由晶体半导体材料制成的第一层10，所述层被放置在‑包括或邻近直接接合界面的中间层50上，中间层被放置在‑由晶体半导体材料制成的第二层40上，半导体结构150的特征在于，中间层50由与第一层10和第二层40的材料不同的材料构成，并且中间层50的衰减系数低于100，并且中间层50的折射率与如下子层的折射率相差小于0.3：‑第一层10的邻近中间层50的至少一个子层，以及‑第二层40的邻近中间层50的至少一个子层。

主权项：1.一种用于光电应用的半导体结构150，所述半导体结构150包括：-由晶体半导体制成的第一层10，所述层被放置在-包括或邻近直接接合界面的中间层50上，所述中间层被放置在-由晶体半导体制成的第二层40上，所述半导体结构150的特征在于：所述中间层50由与所述第一层10和所述第二层40的材料不同的材料构成，并且所述中间层50具有低于100的衰减系数和与如下子层的折射率相差小于0.3的折射率：-所述第一层10的邻近所述中间层50的至少一个子层，以及-所述第二层40的邻近所述中间层50的至少一个子层，所述第一层10的所述半导体是砷化镓，所述第二层40的所述半导体是砷化镓，所述中间层50的所述材料是硅。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索泰克公司 用于光电应用的半导体结构

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