申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-09-09

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727737A

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本申请提供一种寄生电容的测试结构和测试方法，所述测试结构包括第一测试结构、第二测试结构及第三测试结构，第一测试结构、第二测试结构及第三测试结构均包括位于衬底上的栅极结构、位于衬底中的源漏结构以及接触孔结构，其中栅极结构电连接至第一测试衬垫，并与衬底间形成第一寄生电容，源漏结构与栅极结构间形成第二寄生电容，接触孔结构电连接至第二测试衬垫，并与栅极结构间形成第三寄生电容，第一测试结构用于测试第一寄生电容和第二寄生电容之和，第二测试结构用于测试第二寄生电容，第三测试结构用于测试第二寄生电容。本申请技术方案的测试结构和测试方法能够测试出单个寄生电容。

主权项：1.一种寄生电容的测试结构，其特征在于，包括第一测试结构、第二测试结构及第三测试结构；所述第一测试结构、第二测试结构及第三测试结构均包括位于衬底上的栅极结构、位于所述衬底中的源漏结构以及接触孔结构，其中所述栅极结构电连接至第一测试衬垫，并与所述衬底间形成第一寄生电容，所述源漏结构与所述栅极结构间形成第二寄生电容，所述接触孔结构电连接至第二测试衬垫，并与所述栅极结构间形成第三寄生电容；所述第一测试结构用于测试所述第一寄生电容和所述第二寄生电容之和，在所述第一测试结构中，所述接触孔结构位于部分所述源漏结构上且数量不超过两个，所述接触孔结构与所述栅极结构间具有第一水平间距，且所述接触孔结构远离所述栅极结构一侧的衬底具有第一宽度；所述第二测试结构用于测试所述第二寄生电容，在所述第二测试结构中，所述接触孔结构位于部分所述源漏结构上且数量不超过两个，所述接触孔结构与所述栅极结构间具有第一水平间距，所述接触孔结构远离所述栅极结构一侧的衬底具有第二宽度，且所述第二宽度小于所述第一宽度；所述第三测试结构用于测试所述第二寄生电容，在所述第三测试结构中，所述接触孔结构位于部分所述衬底上且数量超过两个，所述接触孔结构与所述栅极结构间具有第二水平间距，且所述第二水平间距大于所述第一水平间距，所述接触孔结构远离所述栅极结构一侧的衬底具有所述第二宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 寄生电容的测试结构及测试方法

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