申请/专利权人：力特半导体(无锡)有限公司

申请日：2022-09-16

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727798A

主分类号：H01L29/861

分类号：H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：公开了一种双向非对称瞬态电压抑制器器件，以及一种瞬态电压抑制TVS器件和形成方法。TVS器件可以包括：第一层，其被设置在基板的第一表面上，该第一层包括第一P+层；第二层，其被设置在基板的与第一表面相对的第二表面上，该第二层包括第二P+层；第三层，其被设置在第一P+层和第二P+层之间，该第三层包括N‑层；以及隔离扩散区域，该隔离扩散区域包括P结构，其被连接至第二P+层，并沿N‑层的周边延伸。

主权项：1.一种瞬态电压抑制TVS器件，包括：第一层，所述第一层被设置在基板的第一表面上，包括第一P+层；第二层，所述第二层被设置在所述基板的与所述第一表面相对的第二表面上，包括第二P+层；第三层，所述第三层被设置在所述第一P+层和所述第二P+层之间，包括N-层；和隔离扩散区域，所述隔离扩散区域包括P结构，所述P结构被连接至所述第二P+层，并沿所述N-层的周边延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 力特半导体(无锡)有限公司 双向非对称瞬态电压抑制器器件

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