申请/专利权人：西安微电子技术研究所

申请日：2023-11-27

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117723861A

主分类号：G01R31/00

分类号：G01R31/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，属于综合电子系统电磁兼容测试技术领域，在先验信息的基础上通过微波暗室结合近场测试的方法可以更快速精准的进行问题定位，从而针对性的对产品的辐射源、耦合途径处理优化，能够起到事半功倍的优化效果。本发明在解决综合电子系统类产品辐射超标情况，通过上述方法有条理且精细的判断干扰源是来自芯片、电源管理组件等部位，同时快速定位泄露途径是连接器、线缆、还是机壳屏蔽等因素，克服传统电磁兼容优化盲目的加滤波器、到处贴铜箔等浪费时间和经济成本且效果欠佳的情况，进而在节约时间和经济成本的情况下提高产品的电磁兼容性能。

主权项：1.一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，其特征在于，包括以下步骤：将综合电子系统按照标准进行布置并测试，观测其RE102测试曲线是否超过规定限值；若RE102测试曲线超过规定限值，则判断是高频超标还是低频超标；若为低频超标，将超标频率与低频超标诱因部件的工作频率及倍频进行对比，添加简易滤波措施验证；若为高频超标，则对高频超标诱因部件进行远场微波暗室测试和近场扫描测试完成电磁辐射问题的定位。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安微电子技术研究所 一种面向高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法

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