申请/专利权人：深圳市硅格半导体有限公司

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117724888A

主分类号：G06F11/07

分类号：G06F11/07;G06F11/10;G06F11/30;G11C29/12;G11C29/44

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及硬盘纠错领域，公开了一种NANDFlash的存储纠错方法、设备及存储介质。该方法包括：读取预置计时器的计时数据，以及基于所述计时数据，对目标NANDFlash进行定时扫描处理，得到扫描数据；当所述扫描数据为异常时，则读取预置温度传感器的温度值，以及基于所述温度值、所述计时数据，对所述目标NANDFlash进行定向评估处理，得到NANDFlash状态数据；当所述NANDFlash状态数据为不稳定状态时，则根据预置读取重试表，对所述目标NANDFlash进行搬移纠错处理，得到纠错后的目标NANDFlash。在本发明实施例中，解决了现有的NANDFlash纠错方式提高了写放大因子降低了使用寿命的技术问题。

主权项：1.一种NANDFlash的存储纠错方法，其特征在于，包括步骤：读取预置计时器的计时数据，以及基于所述计时数据，对目标NANDFlash进行定时扫描处理，得到扫描数据；当所述扫描数据为异常时，则读取预置温度传感器的温度值，以及基于所述温度值、所述计时数据，对所述目标NANDFlash进行定向评估处理，得到NANDFlash状态数据；当所述NANDFlash状态数据为不稳定状态时，则根据预置读取重试表，对所述目标NANDFlash进行搬移纠错处理，得到纠错后的目标NANDFlash。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市硅格半导体有限公司 NAND Flash的存储纠错方法、设备及存储介质

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