申请/专利权人：ASM IP私人控股有限公司

申请日：2023-09-13

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117721436A

主分类号：C23C16/06

分类号：C23C16/06;H01L21/3205;C23C16/455;C23C16/44

优先权：["20220916 US 63/407,200"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.19#公开

摘要：本公开涉及通过循环沉积过程相对于衬底的第二表面在衬底的第一表面上选择性地沉积包含3至6族过渡金属的材料的方法。该方法包括：在反应室中提供衬底；以气相将过渡金属前体提供到反应室中，其中过渡金属前体包含芳族配体；以及以气相将第二前体提供到反应室中，以在衬底的第一表面上沉积过渡金属。本公开还涉及过渡金属层和沉积组件。

主权项：1.一种通过循环沉积过程相对于衬底的第二表面在衬底的第一表面上选择性地沉积包含3至6族过渡金属的材料的方法，该方法包括：在反应室中提供衬底；以气相将过渡金属前体提供到反应室中，其中过渡金属前体包含芳族配体；以及以气相将第二前体提供到反应室中，以在衬底的第一表面上沉积过渡金属。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ASM IP私人控股有限公司 用于选择性地沉积过渡金属的方法和组件

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