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【发明公布】一种晶圆质子辐照过程中次级光子辐射场快速计算方法_国电投核力创芯(无锡)科技有限公司_202311552577.9 

申请/专利权人:国电投核力创芯(无锡)科技有限公司

申请日:2023-11-20

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN117725808A

主分类号:G06F30/25

分类号:G06F30/25;G06N7/01;G06F111/08

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.03.19#公开

摘要:本发明公开了一种晶圆质子辐照过程中次级光子辐射场快速计算方法包括:步骤1、建立蒙特卡罗程序源项计算区域,利用蒙特卡罗程序建立质子束轰击晶圆的几何模型,以模拟质子加速器辐照过程;步骤2、利用程序建立球形探测器包覆晶圆,记录次级光子的能谱、粒子数以及方向等信息,并将其作为后续计算的源项,进行下一步计算;步骤3、利用点核积分方法根据已有的源项信息,计算空间内以及屏蔽墙外的剂量影响。本发明通过两种方法进行耦合,可以显著提高辐射场的计算速度,部分场景计算速度提升超过百倍;通过蒙特卡罗方法与点核积分法的耦合计算,减少了蒙特卡罗数据库的使用,避免了蒙特卡罗方法的高难度建模要求,降低了使用门槛。

主权项:1.一种晶圆质子辐照过程中次级光子辐射场快速计算方法,包括:步骤1、建立蒙特卡罗程序源项计算区域,利用蒙特卡罗程序建立质子束轰击晶圆的几何模型,以模拟质子加速器辐照过程;步骤2、利用程序建立球形探测器包覆晶圆,记录次级光子的能谱、粒子数以及方向信息,并将其作为后续计算的源项,进行下一步计算;步骤3、利用点核积分方法根据已有的源项信息,计算空间内以及屏蔽墙外的剂量影响。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 国电投核力创芯(无锡)科技有限公司 一种晶圆质子辐照过程中次级光子辐射场快速计算方法

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