申请/专利权人：马维尔亚洲私人有限公司

申请日：2019-10-30

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN111146683B

主分类号：H01S5/026

分类号：H01S5/026;H01S5/06;H01S5/10;H01S5/20;H01S5/30

优先权：["20181102 US 16/179,651"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.05.24#专利申请权的转移;2022.05.24#专利申请权的转移;2022.05.24#专利申请权的转移;2021.09.17#实质审查的生效;2020.05.12#公开

摘要：本发明涉及基于硅光子的可调谐激光装置和其封装结构。一种基于硅光子的可调谐激光装置，包括基板，基板配置有图案化区域，包括：一个或多个垂直限位器、面向第一方向的边缘限位器、沿着第一方向形成在图案化区域中的第一对准特征结构、以及设置在垂直限位器之间的接合垫；此外，可调谐激光器包括：集成耦合器，内置于基板中、位于边缘限位器处；以及激光二极管芯片，包括由P型电极覆盖的增益区域和在P型电极以外形成的第二对准特征结构。激光二极管芯片通过P型电极附接至接合垫并且增益区域耦合至集成耦合器的方式被翻转成抵靠一个或多个垂直限位器。而且，可调谐激光器包括被装配在基板中并且经由线形波导耦合至集成耦合器的调谐滤波器。

主权项：1.一种基于硅光子的可调谐激光装置，包括：基板，配置有图案化区域，所述图案化区域包括：一个或多个垂直限位器、面向第一方向的边缘限位器、沿着所述第一方向形成在所述图案化区域中的第一对准特征结构、以及设置在所述一个或多个垂直限位器之间的接合垫；集成耦合器，被置于位于所述边缘限位器处的所述基板中；激光二极管芯片，包括由P型电极覆盖的增益区域和在所述P型电极以外形成的第二对准特征结构，所述激光二极管芯片被翻转以抵靠所述一个或多个垂直限位器放置，其中所述P型电极附接至所述接合垫并且所述增益区域耦合至所述集成耦合器；以及可调谐滤波器，被装配在所述基板中并且经由线形波导耦合至所述集成耦合器，其中所述第二对准特征结构被配置为与所述第一对准特征结构啮合。

全文数据：

权利要求：

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